本公开提出一种齐纳二极管及其制备方法，包括：基板、埋入层、扩散层和外延层；埋入层在基板的一个设置面上的至少一部分区域形成；外延层至少在埋入层上形成；扩散层至少在外延层上形成；其中扩散层与埋入层之间具有一定距离。

本发明公开了一种瞬态电压抑制器与制作方法，其包含：一第一瞬态电压抑制单元，在一第一基板区域上形成且具有一第一对外端与一第一连接端；一第二瞬态电压抑制单元，在一第二基板区域上形成且具有一第二对外端与一第二连接端；以及一连接路径，其至少部分...