方天琦专利技术

方天琦共有2项专利

  • 本发明公开了一种多层复合半导体基板结构及其制作方法,该结构包括一高质量单晶外延层,一高质量单晶外延种子层、一键合界面层和一低质量单晶支撑基板层;外延种子层通过键合转移或薄化等方法至单晶支撑基板层之上,可以用于外延层的外延。该多层复合半导...
  • 本发明公开了一种可拆解多层复合半导体基板结构及其制作方法,该结构包括一外延层,一外延种子层、一键合界面层,一拆解功能层和一支撑基板层;拆解功能层可通过悬涂或沉积等方法实现,具有用于拆解和缓冲应力的功能;外延种子层通过键合转移等方法至拆解...
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