本发明公开了一种盘形状的划线轮，所述划线轮包括：轮体，其包括边缘部，所述边缘部被设置成所述划线轮的厚度从中心至轴向外侧被逐渐减小，外周边缘部的第一侧表面和第二侧表面会聚在所述边缘部上，且所述轮体在中心部具有轴联接孔，和切割部，其包括沿着...

本发明公开了一种具有预定厚度和盘形状的划线轮。所述划线轮包括：轮体，其被设置为所述轮体的至少外周边缘部的厚度从中心至轴向外侧被逐渐减小；以及切割部，其包括沿所述外周边缘部交替设置的凹槽和切割片齿。所述凹槽的每一个通过将形成在所述轮体的所...

本发明提供一种化学机械抛光(chemical mechanical polishing,CMP)设备，包括：安装成与平台分隔预定间隔的摆动单元，待调节的CMP垫置于该平台上；连接器，其在垂直于摆动单元的方向的一端安装在摆动单元的上端，且...

本发明涉及一种CMP垫调整器，其具有基板及形成于该基板的至少一个表面上的切削刀片图形，且具体涉及一种具有切削刀片图形的CMP垫调整器，其中该切削刀片图形具有可提高生产率且通过改进切削刀片图形的结构，可充分确保微细切削刀片图形的强度及稳定...

本发明涉及一种供化学机械抛光（CMP）垫用的调整器，CMP垫使用于一种属于半导体装置制造过程的一部分的CMP制程。特别地，本发明涉及一种CMP垫调整器，该CMP垫调整器中，切割尖端的构造即使在使用不同种类的研磨浆时及在调整器的压力有改变...

本发明涉及一种用于化学机械平坦化（CMP）垫的调节器，其用于CMP工序（半导体元件制造工序的一部分）中，更具体地，涉及一种用于软垫的调节器及其制造方法，所述调节器能够在使用具有低抛光粒子含量的浆料和/或具有比较低的硬度和非常高的孔隙率的...