恩智浦有限公司专利技术

恩智浦有限公司共有1910项专利

  • 同步逻辑电路
    本发明涉及同步逻辑电路,具体涉及降低功率需求的这类电路。公开的本发明实施例包括一种同步逻辑电路(200,1100),包括:输入模块(201);输出模块(202);判决逻辑模块(203),连接在输入和输出模块之间,并被配置为依赖于从输入和...
  • 半导体 ESD 器件
    一种半导体衬底上的静电放电(ESD)保护器件及其制造方法。所述器件具有有源区。有源区包括栅极。有源区还包括源极,源极包括具有源极触点的硅化物部分。有源区还包括漏极,漏极包括具有漏极触点的硅化物部分。源极和漏极各自沿着器件轴远离栅极延伸。...
  • 电容倍增器和方法
    一种电容倍增器电路提供增大的等效电容,可以使用期望小的台面面积来实现电容倍增器电路。如根据一个或多个实施例所实现的,电容器跨越第一和第二极板提供第一电容,电容倍增器电路与所述电容器一起操作以提供作为第一电容的倍数的第二等效电容。电容倍增...
  • 描述了一种锁存电路和一种操作锁存电路的方法的实施例。在一个实施例中,锁存电路包括:输入端子,配置为接收输入数据信号;开关单元,配置为控制输入数据信号的施加;第一反相器电路,与所述开关单元相连,其中所述第一反相器电路包括第一交叉耦合反相器...
  • 一种执行将输入消息映射到输出消息的加密钥的密码运算的方法,其中所述输入消息包括m个输入数据,所述输出消息包括m个输出数据,其中所述密码运算包括至少一个回合,所述密码运算规定了用于将输入数据映射到输出数据的替换盒,所述方法包括:使用n个拆...
  • 超宽带多赫蒂放大器
    一种用于将输入信号放大为输出信号的多赫蒂放大器(100),所述多赫蒂放大器(100)包括:主放大器(110),用于接收第一信号,并且放大第一信号以便产生第一放大信号;第一峰值放大器(112),用于接收第二信号并且产生第二放大信号,所述第...
  • 符号时钟恢复电路
    一种符号时钟恢复电路,包括ADC、可控反相器和定时检测器。定时检测器输入端子配置为从ADC输出端子接收ADC输出信号;定时检测器输出端子配置为提供数字输出信号;以及第一定时检测器反馈端子配置为向反相器控制端子提供第一反馈信号。定时检测器...
  • 描述了一种RF开关装置(400),包括偏置交换电路(30)。偏置交换电路根据RF开关的状态来切换偏置电压。这改善了RF开关的性能而不需要电荷泵电路。
  • 公开了一种设备和方法的实施例。在实施例中,公开了一种CAN设备。所述CAN设备包括:TXD输入接口;TXD输出接口;RXD输入接口;RXD输出接口;以及通信量控制系统,连接在TXD输入和输出接口之间以及连接在RXD输入和输出接口之间。所...
  • 用于将白箱实现紧附到周围程序的接口兼容方式,一种在密码系统中将密码功能的密码实现紧附到周围程序的方法,包括:由密码系统接收输入消息;从周围程序接收计算值;由密码系统使用来自周围程序的计算值执行将输入消息映射到输出消息的带密钥密码操作,其...
  • 一种在密码系统中实施安全性设置的方法,所述方法包括:由密码系统接收与多个安全性设置中的第一安全性设置相关联的第一输入消息;由密码系统执行将第一输入消息映射到第一输出消息的带密钥密码操作,其中,所述带密钥密码操作在密码系统被授权用于第一安...
  • 本文提出一种处理器电路,包括:处理器单元,被配置成执行用于加载或存储多个数据字的多重加载或存储指令;数据接口块(DIB),被配置成与处理器单元通信,并且被配置成响应于在执行多重加载或存储指令期间中断的发生,保存多重加载或存储指令的状态。...
  • 一种在密码系统中确定密码实现的指纹标识的方法,包括:由所述密码系统接收作为指纹标识消息的输入消息;由所述密码系统执行将所述指纹标识消息映射到包括指纹标识的输出消息的带密钥密码操作;以及输出所述输出消息。
  • 一种在密码系统中在不改变密钥的情况下对密码实现打补丁的方法,包括:向所述密码实现发送来自第一消息集的消息,其中所述第一消息使用所述密码实现的第一部分;决定对所述密码实现打补丁;在决定对所述密码实现打补丁之后,向所述密码实现发送来自第二消...
  • 腔体内电子发射器件的电极涂层
    用于形成静电放电装置的场致发射二极管的方法的实施例包括形成第一电极、牺牲层和第二电极。所述牺牲层隔开所述第一电极和第二电极。所述方法还包括通过去除所述牺牲层,在所述第一电极和第二电极之间形成腔体。所述腔体隔开所述第一电极和第二电极。所述...
  • 描述了一种在半导体封装中包括RF功率晶体管的半导体器件。所述半导体器件包括:栅极引线框;漏极引线框;管芯,包括具有栅极和漏极的RF功率晶体管;以及法兰。栅极阻抗匹配网络连接在栅极引线框和栅极之间。漏极阻抗匹配网络连接在漏极引线框和漏极之...
  • 半导体器件的制造方法
    一种半导体器件的制造方法,包括:形成包括针状缺陷的沟槽,在包括针状缺陷的沟槽上沉积高密度等离子体氧化物,通过施加氧化物刻蚀除去在针状缺陷上的部分高密度氧化物和线形氧化物,和在施加氧化物刻蚀之后,通过多晶硅刻蚀回刻蚀针状缺陷。
  • 一种由安全模块对数据输入执行安全功能的方法,包括:安全模块接收加密的数据值;使用白盒解密块密码器来对加密的数据值进行解密,并对解密的数据值进行编码,其中所述数据值对攻击者不可见;对编码的数据值执行功能,并产生所述功能的编码的结果,其中所...
  • 半导体隔离结构
    本发明涉及一种半导体隔离结构。更具体地,本发明涉及一种适于提供高电压隔离的半导体隔离结构。所公开的实施例包括一种半导体结构(10),包括:第一半导体区域(R1);第二半导体区域(R2),在所述第一半导体区域(R1)内;以及电压隔离器(1...
  • 描述了一种非接触型通信设备,包括:接收机单元,具有用于与天线相连的天线输入,与发射设备耦合,接收由发射设备发射的RF信号,并且确定与RF信号中的数据位置相关的时间点;比较器,产生对接收机单元的天线输入处的电压和参考电压之间的关系加以指示...