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恩尼技术公司专利技术
恩尼技术公司共有10项专利
射频匹配网络的模糊逻辑调谐制造技术
用于阻抗匹配网络的模糊逻辑控制器(26)将相误差信号和幅误差信号(△Φ,△Z)模糊化。根据多个模糊集(30,32,34)将误差信号加到模糊逻辑推理函数(29)。误差信号的值在一个或多个模糊集内享有一定程度的从属关系。把模糊逻辑规则加到相...
用于等离子体工艺的工艺检测系统技术方案
等离子体工艺控制装置控制用于为RF或DC等离子体工艺的等离子体室(18)提供电源的等离子体发生器(12)。传感器系统(16)检测电源的操作参数,包括电压和电流。工艺检测系统(pds)控制器(26)具有连接到检测系统(16)以接收它的所述...
射频等离子体发生器的比值自动调谐算法制造技术
一种RF等离子体系统采用频率调谐,在一个频率范围内改变RF发生器(14)的频率,以便与等离子体腔(18)的阻抗相匹配。从双向探测器(16)获得入射和反射功率的幅值。获得一个频率下入射功率和反射功率的比值,然后改变频率。调谐算法将新频率处...
双向谐波耗散系统技术方案
公开了一种设备,其中双向谐波耗散滤波器包括耦合到在预定频率范围内提供射频信号的RF功率放大器的输入端子,用于在预定频率范围内向负载提供射频信号的输出端子,在输入端子和输出端子之间连接的低通滤波器,和多个耦合到低通滤波器的高通滤波器,其中...
并联高压金属氧化物半导体场效应晶体管高功率稳态放大器制造技术
一种使用了一高电压MOSFET的高功率漏极接地共源极RF放大器。在输入端的相对于地而提供的RF信号通过一隔离变压器的次级在栅极和源极之间馈送该信号。从相对于接地的漏极的源极而取得输出。-13.56MHZ3KW功率放大器与用于第一MOSF...
千瓦功率管制造技术
一种大功率高电压晶体管具有四个或多个以热接触形式安装在一个金属凸缘上的半导体管芯(14)。在每个管芯(14)下表面几乎80%的区域上形成有一个漏极(集电极)区,栅(基)区与源(射)区分别形成在其上表面,凸缘用作管芯(14)的漏极引线。管...
获取施加到射频负载上的射频功率波的电压和电流值的方法和装置制造方法及图纸
用于测量加在RF负载上的RF功率波的电流、电压和相位的一种方法,该方法考虑到了所述电压和电流采集头的有限长度,对于电压和电流的驻波分量的效应进行了校正。在所述预定发射频率的预定标系数的基础上把电压和电流当作所述电压采集信号和所述电流采集...
具有光纤位置传感器系统的可变电容器技术方案
一个用于真空调谐电容器的光学位置传感器采用位于与引导轴(16)相连的螺帽(20)附近的光纤(31,32)。旋转一个带螺纹的导杆(21)以提升螺帽,并将电容器从完全收回的起始位置移动到一个调谐位置。第一光纤(31)的终端与第二光纤(32)...
输电系统技术方案
公开了在多个频率下工业RF处理系统中输出的RF能量的特性测试方法和设备。用一个检测器测试RF能量的特性的方法和设备。
测定正弦信号瞬时功率的方法和设备技术
提供了一种测定正弦信号瞬时功率的方法和装置。一般而言,本发明的设备可以测定正弦信号的瞬时功率而无需滤波。这是基于三角恒等式:sin↑[2]x+cos↑[2]x=1实现的。通过首先将输入信号分成二个信号,使得所形成信号相互间相位差为90度...
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