东进半导体化学株式会社专利技术

东进半导体化学株式会社共有3项专利

  • 一种光致抗蚀剂显影剂组合物,在总显影剂组合物中包括:    按重量计为1.0~10.0%的无机碱性化合物;    按重量计为0.1~3.0%的有机溶剂;    按重量计为1.0~20.0%的表面活性剂;及    按重量计为67~97.9...
  • 在对制造半导体装置或液晶显示器的光致抗蚀剂剥离过程进行控制的控制方法中,首先利用NIR分光计对光致抗蚀剂层剥离过程中使用的剥离剂成分进行分析。然后,通过将分析的成分与基准成分进行比较,确定剥离剂的状态。如果剥离剂的寿命已经结束,则利用新...
  • 在对制造半导体装置或液晶显示器的金属层蚀刻过程进行控制的控制方法中,首先利用NIR分光计对金属层蚀刻过程中使用的腐蚀剂成分进行分析。然后,通过将分析的成分与基准成分进行比较,确定腐蚀剂的状态。如果腐蚀剂的寿命已经结束,则利用新腐蚀剂替换...
1