本申请提供了一种压力传感器及其制备方法，涉及半导体技术领域，旨在降低器件的成本。该压力传感器包括第一基板、第二基板、第一电极和第二电极，第一基板包括相对的第一表面和第二表面，所述第一基板还包括空腔，所述空腔从所述第一表面延伸至所述第一基...

本发明涉及一种正极复合涂层、正极极片及其应用，所述正极复合涂层包括第一涂层和第二涂层，其中，所述第一涂层包括共轭微孔聚合物，所述第二涂层包括多孔无机氧化物颗粒和导电聚合物。本发明所述的正极复合涂层在常温和高温条件下均能够有效阻隔金属离子...

本申请公开了一种中介层、光电共封装结构及其制备方法，中介层包括：基底，所述基底包括玻璃基底或石英基底；第一波导层，所述第一波导层设置在基底上，且第一波导层中设置至少一个第一波导结构；第一波导结构包括第一光波导；第二波导层，第二波导层设置...

本申请属于半导体化学机械抛光技术领域，具体公开了一种二氧化硅抛光液及其制备方法，该二氧化硅抛光液包括二氧化硅复合颗粒，所述二氧化硅复合颗粒包括网状颗粒和球形颗粒，所述球形颗粒连接在所述网状颗粒表面，所述二氧化硅复合颗粒中羟基含量大于等于...

本申请公开了一种光电共封装转接板和光电共封装器件。一种光电共封装转接板，包括形成在基板上的第一包覆层和第二包覆层，以及设置在第一包覆层和第二包覆层之间的光波导，光波导的折射率大于第一包覆层和第二包覆层的折射率；第二包覆层上形成有出光窗口...

本申请公开了碳微球及其制备方法和应用。制备碳微球的方法包括：于碳基底一侧形成液态金属层；对碳基底具有液态金属层的一侧进行第一微波等离子体化学气相沉积处理，令碳基底的温度升高至刻蚀温度，以得到具有刻蚀面的碳基底；第一微波等离子体化学气相沉...

本申请公开了一种电机定子组件，属于电机领域。所述电机定子组件包括：定子、机壳、导热件和散热器；定子包括定子铁芯和定子绕组；机壳包括本体和多个散热翅片，所述本体套设于所述定子外侧，所述散热翅片设置于所述本体外侧；所述导热件穿设于所述本体，...

本申请公开了一种晶体管及其制备方法，属于半导体技术领域。所述晶体管包括：衬底层，以及依次层叠设置在所述衬底层上的键合层、栅电极层、栅介质层、沟道层，以及源漏电极层；其中，栅介质层的材料包括单晶钽酸锂，且栅介质层的厚度范围为[200nm，...

本发明涉及碳材料制备技术领域。本发明提供了一种碳化物衍生碳及其制备方法和应用，包括：将过渡金属碳化物与MCl<subgt;x</subgt;混合，置于密闭容器中，在隔绝空气条件下，加热熔融，得到中间体，其中，M包括Fe、Ni...

本发明涉及碳材料技术领域，具体提供氮掺杂碳纳米管及其制备方法和应用。本发明的氮掺杂碳纳米管的制备方法包括以下步骤：在450℃‑550℃条件下，分解固相碳氮化合物，得到还原气体和前驱体；在700℃‑800℃条件下，将所述还原气体与催化剂接...

本申请属于激光器领域，具体公开了一种外腔激光器和设备，该外腔激光器包括增益芯片、外部共振腔和耦合模块，所述增益芯片和外部共振腔通过所述耦合模块耦合连接，其中，所述外部共振腔包括波导结构、光栅和相变材料层，所述光栅设置在所述波导结构上，所...

本申请公开了一种光纤陀螺仪，适用于传感器技术领域，该光纤陀螺仪包括第一衬底、第一平面光波导耦合器和第二平面光波导耦合器、至少一个光纤谐振腔和第一光纤。第一衬底包括相对的第一表面和第二表面。第一平面光波导耦合器和第二平面光波导耦合器设置于...

本发明涉及一种锂金属负极片及其制备方法、二次电池以及用电装置，所述锂金属负极片的制备方法包括以下步骤：将AgMF<subgt;6</subgt;与有机溶剂混合，得到混合液，其中，M选自Ge、Si、Sb、As或Al中的至少一种...

本发明提供了介孔二氧化硅微球及其制备方法。制备介孔二氧化硅微球的方法包括：将尿素、二胺类化合物和甲醛加入水中进行混合，得到混合溶液，其中二胺类化合物包括疏水基团；将混合溶液加热至预定温度，尿素和二胺类化合物分别与甲醛发生加成反应，得到含...

本发明公开了一种电光微通道反应器。属于反应器技术领域，该电光微通道反应器包括芯体组件、壳体组件和导电组件，芯体组件包括透光导电板、微通道板和电极板，微通道板开设有流体槽，在微通道板的厚度方向上，流体槽贯穿微通道板，微通道板夹设于透光导电...

本发明涉及一种硫辛酸基墨水、3D材料及其制备方法，所述硫辛酸基墨水包括硫辛酸、线性丙烯酸酯以及光引发剂，其中，所述线性丙烯酸酯与所述硫辛酸的摩尔比大于或等于0.1:1，且所述线性丙烯酸酯的分子量小于或等于2000。本发明的硫辛酸基墨水中...

本发明公开了一种旋转变压器的软解码方法、系统、控制平台和存储介质，其中，方法基于DSP芯片和FPGA芯片，包括：由DSP芯片生成使能信号，并将使能信号输入至FPGA芯片，其中，FPGA芯片根据使能信号生成施加至旋转变压器的高频励磁信号；...

本发明涉及一种彩色氧化硅微球及其制备方法，该彩色氧化硅微球的制备方法包括以下步骤：将偶合组分或重氮组分与2,4,6‑三卤代‑1,3,5‑三嗪混合进行第一次缩合反应，得到第一缩合反应物；将末端含有氨基的硅醇与第一缩合反应物混合，进行第二次...

本申请公开一种硅晶圆键合方法及硅晶圆，所述方法包括：将正硅酸乙酯、无水乙醇，以及氨水按预设比例混合，在预设温度下，恒温搅拌后，得到二氧化硅溶胶；提供第一硅晶圆和第二硅晶圆，利用等离子体处理工艺，处理第一硅晶圆和/或第二硅晶圆的上表面，以...

本发明涉及一种硅碳负极材料及其制备方法、负极片以及二次电池，其中所述硅碳负极材料包括内核以及包覆所述内核的碳包覆层，所述内核包括多孔碳骨架以及分布于所述多孔碳骨架中的硅锗合金，且硅锗合金无锗团聚体。锗的电导率比硅大约高4个数量级，锂离子...