本发明克服现有黑色材料的黑度不足而干扰成像的缺点，提供一种能提高材料对光的吸收，降低光的反射，尤其是可见光范围的光波的云母基超黑材料及其制备方法。本发明的云母基超黑材料为粒度为２０～６００目云母粉为基体，表面均匀覆以镍磷镀层；其制备方法...

本发明公开了一种负离子搪瓷及其制作方法。本发明的负离子搪瓷的组分和重量百分比含量包括：搪瓷基料８０－９５％，电气石５－２０％。本发明采用搪瓷作为电气石粉体的载体，能够最大可能发挥电气石产生负离子的功能，将加入电气石粉体的搪瓷制作成各种产...

本发明公开了一种镍酸锂搪瓷密着剂的制作方法，Ｌｉ↓［２］ＣＯ↓［３］∶Ｎｉ（ＮＯ↓［３］）↓［２］.６Ｈ↓［２］Ｏ＝１∶１０～４０的比例混合均匀，控制温度和保温时间制得超细镍酸锂晶体；本发明还公开了一种镍酸锂作为密着剂的搪瓷制作方法，通...

本发明涉及一种光催化自洁搪瓷的制备方法，包括步骤：（１）根据面釉配方组成，将各种成分换算成石英，长石，硼砂，二氧化钛，纯碱，冰晶，称量混合，放入坩埚，熔化好后投入水中淬冷，捞出烘干制得搪瓷熔块；（２）混合搪瓷熔块、按粘土、电介质、和去离...

本发明提供了一种钼电极表面玻璃基防氧化涂层的制备方法，其包括下列步骤：将纯度大于９９．９５％金属钼棒碱洗脱脂、酸洗去污制备钼基体；按一定配比制备制备基釉钡硅酸盐玻璃料，加氧化铬和粘土制备钼釉，再加入调墨油（由松油醇和乙基纤维素配制）配制...

本发明涉及一种具有负离子效应的搪瓷表面涂层的制备方法，包括：（１）将搪瓷板用去离子水清洗３０ｍｉｎ后，置于烘箱烘干；（２）溶胶的制备，将Ｓｉ（ＯＣ↓［２］Ｈ↓［５］）↓［４］、Ｃ↓［２］Ｈ↓［５］ＯＨ、Ｈ↓［２］Ｏ、ＨＣｌ和ＤＭＦ混和，...

一种纳米粒子表面物理化学结构裁剪包覆方法，其特征在于该方法包括以下步骤：　　　　（１）被包覆纳米粒子使之带电，取出后置入等离子体反应器内；　　　　（２）反应器抽真空至本底真空度≤１０Ｐａ，导入单体与载体的混合气体，流速为５－１５０ｓｃｃ...

一种电火花表面强化机床，包含夹持有工具电极的振动器和脉冲电源，其特征在于：设置有包含工件夹持装置、拖板行走机构和传动装置的床身；该传动装置包含减速电机、皮带减速机构和蜗轮减速器，该皮带减速机构的大皮带轮设置在工件夹持装置的夹盘轴上；该蜗...

一种自重加压电火花强化装置，包含振动器、脉冲电源，其特征在于：设置有包含底座和导轨的支承架，通过连结在导轨和底座之间的角度调节机构，该导轨在底座上可作０度～９０度范围的角度调整；该振动器滑动连接在该导轨上。本发明解决电极对工件施加恒定的...

本发明公开了一种三氧化二铁包覆碳纳米管磁性复合材料的制备方法。本发明将碳纳米管在硝酸中回流，在碳纳米管壁引入羧基、羟基、羰基等官能团，这些官能团能够吸附溶液中的金属铁离子。被吸附在碳纳米管壁上的金属铁离子与加入的氨水中的氢氧根离子反应，...

一种大气压平面放电化学气相沉积纳米颗粒膜的方法及装置，其特征是在大气压化学气相沉积装置的反应器中增加气流分配器，使气体均匀流过放电区并在基材包括软基材表面均匀、快速地沉积具有相同组分的膜层。在装置的反应器中放置不同个数的平面放电单元，增...

本发明涉及一种的常压等离子体气相沉积制备纳米硅基多孔发光材料的方法，包括步骤：（１）沉积基片置于立体梳状电极之下，用机械泵将反应室中的空气除去；（２）通过进气口的莲蓬头通入混合气体，调节混合气体流速，控制沉积室气压为常压附近；（３）反应...

本发明涉及一种纳米晶多孔ＴｉＯ↓［２］薄膜及其制备方法，该薄膜是ＴｉＯｎ结构的薄膜，其中ｎ为１．５－２．５，多晶晶体结构，晶粒尺度１０－５００ｎｍ，孔径１０－５０００ｎｍ；制备方法，包括：（１）将基体材料超声清洗干净，烘干，置于等离子体...

本发明涉及一种超疏水性和超亲水性二氧化钛薄膜的等离子体制备方法，包括：（１）以频率为１２－１４ＭＨＺ的射频等离子体发生器产生等离子体辉光，并且调节等离子体功率在４０Ｗ－１８０Ｗ之间变动；（２）以四异丙基钛酸脂为单体沉积，并由氧气载入；（...

本发明涉及一种表面半圆弧槽圆柱形工件电火花自动强化装置，含有一个电火花自动强化振动机构，还包括一个步进电机（３），所述的步进电机（３）通过拨动连杆（４）连接电火花自动强化振动机构，所述的电火花自动强化振动机构前部通过一个活动连接的转动支...

一种基于分子自组装技术的柔性基材化学镀前活化方法，包括下列步骤：１．将交联剂和壳聚糖或其衍生物置于弱酸水溶液中，电磁搅拌，静置得到壳聚糖整理液。２．浸渍方法：将织物浸渍在壳聚糖整理液中，电磁搅拌，去离子水清洗烘干；浸轧方法：将织物浸渍在...

一种用于状态记忆安装系统的填料及其应用工艺过程，属于机械制造和低熔点合金应用的技术领域，该填料的成分配比之一是Ｂｉ∶Ｓｎ∶Ｃｕ＝１５～６０％ＷＴ∶４０～８５％ＷＴ∶０．５％ＷＴ，有不含有毒元素Ｐｂ或Ｃｄ，熔点低、脆性小、切削性好、易于回...

本发明涉及一种具有共晶组织的过共晶铝硅合金及工艺方法。其特征在于在电解铝硅合金中（通常Ｓｉ含量６－１２ｗｔ％范围）添加铝硅中间合金，在熔体中加入或不加入少量锶或稀土（ＲＥ）合金或钠盐，即可获得完全共晶组织，不出现初生硅。其方法是先将电解...

本发明涉及一种硅铝合金系列中硅铁双相团化剂及团化方法。其特征在于所述的硅铁双相团化剂为ＭｏＳ↓［２］和／或ＭｎＳ↓［２］，ＭｏＳ↓［２］的加入量为０．１－０．８％，ＭｎＳ的加入量为０．１－０．８％，二者混合加入量为０．１－０．８％。硅，...

一种低铝低镍中锰奥氏体基体的铸铁，其特征在于：　　　　１）化学成份（ｗｔ％）为Ｃ３．０－４．０、Ｓｉ２．０－３．０、Ｍｎ８．０－１０．０、Ｎｉ１．０－４．０、Ｃｕ＜３．０、Ａｌ≤０．３；　　　　２）合金金相组织为Ａ型石墨、奥氏体基体以及...