本发明是一种晶振晶体片的真空镀膜方法，它采用蒸镀的方式先在晶体片的正反两面镀上镍材料膜，然后在镍材料膜上镀上银材料膜；蒸镀时，将晶体片置于分子泵镀膜机的夹具中，先将镍材料置于分子泵镀膜机内两个钼舟的一个上；在真空状态下加热放置镍材料的钼...

本发明是一种耐高温晶振晶体片的真空镀膜方法，它以硅酸镓镧晶体片或者二氧化硅晶体片为载体，采用蒸镀的方式在晶体片的正反两面镀上金与银组合而成的合金膜；合金膜中，金占其重量的10%；蒸镀时，将晶体片置于分子泵镀膜机的夹具中，按重量配比将金、...

一种硅酸镓镧晶体元件的生产方法，其特征在于，取原料硅酸镓镧晶体割成条状晶体材料；然后进行晶体定向测角；按定向测角要求将条状晶体材料用多刀切割机进行切片，再经改圆处理后，得圆片状晶体材料；再依次对圆片状晶体材料进行粗磨、中磨和精磨处理，以...