本发明涉及集成电路制造技术领域，具体涉及基于脉冲等离子体的集成电路高深宽比填充方法，通过调用标准脉冲等离子体沉积参数模板设置初始参数，并实时采集反应物气体分压信号来构建分压曲线和计算消耗量，随后，基于消耗量与预设范围的对比判断当前填充参...