本发明涉及数据储存技术领域，尤其是指一种基于云端服务器的数据安全保护方法，包括以下步骤：步骤一、以DaaS承载平台作为混合云，混合云包括私有云和公有云，私有云通过分割策略将原数据划分为若干个数据块；步骤二、然后将数据块进行匿名分割化处理...

本发明公开了一种基于安全网关的自动化数据加密系统及其应用，自动化数据加密系统包括：协议解析器，接收云服务器的web页面并识别云服务器的通信协议，解析请求内容格式，传至注入模块或数据加解密模块；注入模块，接收到web页面后，将JavaSc...

本发明公开了一种低暗电流有机倍增型光电探测器及其制备方法，涉及光电探测领域，解决有机倍增型光电探测器暗电流较大等问题，包括自下而上依次设置的透明导电电极层、电子传输层、有机功能层、第一空穴阻挡层、第二空穴阻挡层、第三空穴阻挡层和金属电极...

本申请是关于一种阶梯型基体区的屏蔽栅沟槽型场效应晶体管，包括：衬底区、漂移区、基体区、源区、屏蔽栅、控制栅、绝缘层、源极、漏极以及金属栅极；漂移区与衬底区相接，基体区和源区依次设置在漂移区上方；控制栅和屏蔽栅依次设置在漂移区的侧方，并通...

本发明属于虚拟机性能测试的技术领域，具体涉及一种文件系统性能测试方法，包括步骤一、在未打开CFWatcher监控的情况下，测试虚拟机的文件系统性能；步骤二、打开CFWatcher监控并监控不同数量的文件，测试虚拟机的文件系统性能；步骤三...

本发明属于云安全的技术领域，具体涉及一种页面级虚拟机内核控制流完整性动态监测方法，包括步骤一、通过采集模块提取虚拟机中系统调用执行过程中的页面控制流，并且将控制流信息传递给学习模块和监控模块；步骤二、在学习阶段，学习模块根据采集模块传递...

本发明属于电子电路技术领域，具体涉及一种用于高压Buck变换器的电源轨电路。本发明提出用于高压Buck变换器的电源轨电路，通过简单的辅助启动电路，省去预降压模块，在简化电路结构的同时降低功耗，实现了电源轨低功耗的功能。整个Buck变换器...

本发明属于有机磁性新材料技术领域，具体涉及一种苯并三嗪单自由基类化合物及其制备方法。本发明通过在1，2，4

本发明属于虚拟机文件监控的技术领域，具体涉及一种基于目标的虚拟机关键文件域外实时监管方法，包括步骤一、分析Linux文件系统的运行机制，寻找CFWatcher可利用的事件；步骤二、通过在域外监控虚拟机中目标文件对应的dentry对象的引...

本发明属于云计算的技术领域，具体涉及一种虚拟机文件系统域外安全检测方法，包括步骤一、部署于各物理节点，在虚拟机外部轮询扫描虚拟机磁盘镜像，获取脏文件信息并进行安全检测；步骤二、在扫描过程中，采用数据层来判断虚拟机磁盘镜像中的文件是否完整...

本发明属于虚拟机的技术领域，具体涉及一种虚拟机内核结构体自动化迁移方法，包括步骤一、内存分配模块在目标虚拟机内核内存空间中分配一块受保护的内存区域，然后获取该内存区域的地址；步骤二、内存迁移模块将原始内核结构体复制到受保护的内存区域中；...

本发明公开了一种基于扩散电阻的输入信号端口的ESD保护电路，包括扩散电阻R

本发明公开了一种基于虚拟机自省的自动化域外细粒度管控方法，包括当进行域外管理时，SAVM在目标虚拟机中选取可用的傀儡进程；调用控制模块在傀儡进程触发系统调用时通知管理模块，之后数据交换模块保存该调用的数据，最后，依据管理操作类型的不同，...

本申请公开了一种Au/VO2复合型纳米催化剂及其制备方法。该Au/VO2复合型纳米催化剂中的VO2为珊瑚状纳米结构，且VO2为富氧缺陷VO2，Au为纳米团簇，所述Au均匀锚定在所述VO2上；二氧化钒的富氧缺陷处理为Au纳米团簇提供了更丰...

本申请公开了一种复合型催化剂及其制备方法。该复合型催化剂包括多孔碳和氮化钨双相结构，其中，多孔碳为氮掺杂多孔碳，氮化钨双相结构包括棒状β相氮化钨和生长在棒状β相氮化钨表面的片状δ相氮化钨，多孔碳为基底，氮化钨双相结构的一端插入所述多孔碳...

本发明提供一种具有载流子浓度增强的分离栅超结IGBT器件结构及制作方法，本发明通过将栅电极分裂为左右两部分，左侧作为栅极，右侧与发射极连接，分离栅结构降低了米勒电容Cgc，进而降低了开关损耗。本发明在沟槽栅右侧、P柱上方引入P型浮空区结...

本发明提出一种具有载流子浓度增强的超结IGBT器件结构及制作方法，本发明在沟槽栅右侧、P柱上方引入P型浮空区结构，改变了传统超结IGBT中P柱、P型基区和发射极之间的位置关系，阻止了P柱与P型基区及发射极的直接连接，消除了在高柱区浓度下...

本发明提供一种具有分离栅结构的RET IGBT器件结构及制作方法，通过在N型电荷存储层下方引入P型埋层，在P型埋层左侧引入N型埋层，消除了高浓度P型埋层对器件阈值电压的影响，电子电流可以通过N型埋层流入N型漂移区，不会影响器件的通态特性...

本发明提供一种分段式注入的自钳位IGBT及其制作方法。在元胞右侧引入与发射极等电位的沟槽结构，在N型电荷存储层下方引入P型掺杂埋层，通过改变掩模版的开口，使高浓度的P型埋层呈间隔式分布，改善了在器件导通时高浓度P型埋层对阈值电压的不利影...

本申请公开了一种磁感电流信号产生及检测装置，该磁感电流信号产生及检测装置包括：磁场生成单元，用于产生磁场；载物台，位于所述磁场中，用于承载待测样品；驱动单元，与磁场生成单元通过连接架固定连接，用于驱动磁场生成单元旋转从而产生旋转磁场；检...