本发明涉及一种超结器件及其制造方法，所述超结器件包括：衬底；超结结构，位于衬底上，包括沿第一方向交替排列的N型区和P型区；漏极区；源极区，源极区和漏极区位于超结器件在N型区和P型区延伸方向上的两侧，超结结构位于源极区和漏极区之间；栅极，...

一种金属表面涂层的离子喷涂装置，属于喷涂领域，为解决了种流体状态的喷涂料在喷涂过程中存在随意流动的问题，严重影响了喷涂的均匀性，由于喷涂料的随意流动，在金属表面的不同区域，涂层的厚度和成分分布难以保持一致，喷涂均匀性的缺失会影响金属表面...

本发明公开了一种适用于薄板复合材料的AK‑ISSO的一阶可靠性方法，采用一阶可靠性方法与主动克里金相结合的混合策略，同时融入改进的麻雀搜索优化方法，以粒子的全局最优位置作为先验位置信息进行局部动态搜索，使用ISSO对可靠性指标进行搜索，...

本发明公开了一种具有盲孔叉指结构的玻璃基三维脉冲电容器及制备方法，属于电子器件技术领域。所述电容器采用硼硅玻璃/石英玻璃作为电介质基板，通过激光诱导结合湿法刻蚀技术在玻璃基板双面制备高深径比盲孔阵列，并在盲孔侧壁及玻璃表面沉积镍/钛黏附...

本发明公开了一种时频协同多子脉自适应匹配滤波抗主瓣间歇采样干扰方法，首先对雷达多子脉冲发射信号建模，获得回波信号，进行雷达系统总接收信号建模，然后滤除干扰信号后进行目标信号的恢复，获得脉压结果，完成多通道脉冲压缩，再进行距离门对齐，最后...

本发明提供了一种激光光路稳定器及使用方法，包括光路稳定器、信号线和控制器，光路稳定器接收来自外部光路的激光束，光路稳定器通过信号线连接控制器，光路稳定器包括电动调整架、手动调整架、平面反射镜、部分反射镜、相机。本发明采用上述的一种激光光...

本发明属于功率半导体技术领域，涉及具有图形化槽和浮空场板的逆导型氧化镓场效应晶体管。正向导通时，本发明通过凹槽栅实现高阈值电压的增强型器件；正向阻断时，图形化槽优化电场分布，结合浮空场板和栅场板缓解电场集中效应，提高器件击穿电压；正向导...

本发明涉及一种无铍窗的电化学原位XRD测试装置及测试方法，属于电池测试领域。测试组件包括顶盖、主体、底盖、腔内配件四部分。组装后的套件可以嵌入XRD衍射仪载物台。其中，电池主体设计有极片固定槽，搭配覆膜密封顶盖，可实现无金属铍窗时保持良...

本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种低损耗的逆导型横向氧化镓增强型晶体管。正向导通时，本发明采用凹槽栅结构实现高阈值电压的增强型晶体管，且集成二极管几乎不占用额外的导电面积，有助于实现高输出电流；正向阻断时，图形化槽优化电场分布，结合...

本发明涉及生成式人工智能，提供了一种生成式的法律文本自动化摘要方法、装置及存储介质。本发明旨在解决中文法律文本自动化摘要中存在的语义失真、专业术语处理不足及生成效率低下问题，主要方案包括首先对原始中文法律文本进行字符、标点、句子三个层级...

本发明公开了一种电光调制光谱的高分辨提取方法，属于光电子技术领域，旨在实现电光调制光谱的高分辨提取。本发明通过搭建移频外差结构，使待测电光调制光谱与移频光信号外差拍频，将光域光谱变换到射频域，由电谱仪接收检测；光移频模块对光载波进行上移...

本发明属于飞行器设计与智能传感领域，具体提供一种仿生无人飞行器三维动态集成感知方法，涉及面向仿生扑翼飞行器的翅翼三维柔性动态实时重建以及翼面速度场实时重建，用以满足面向仿生扑翼飞行器的感知设计需求。本发明创造性的提出集成翅翼的开路输出电...

一种基于反省链推理的产品评论检测方法，属于自然语言处理（NLP）技术领域。通过将相关背景信息结构化为背景特征表示，并结合“反省链”推理机制，逐步细化推理结论。该方法在少样本推理的基础上，通过特征组合的生成与筛选评估，能够有效提升模型对背...

本发明公开了一种基于空域旁瓣控制的OFDM雷达通信一体化方法，设计一组权向量并保证天线发射方向图主瓣幅度一致，且特定方向的旁瓣具有不同电平；在脉冲重复周期内，每个OFDM子载波根据承载的通信信息选择对应的权向量，将信息以旁瓣幅度调制方式...

一种高频低损耗平面六角铁氧体材料的低成本制备方法，属于铁氧体材料制备技术领域。本发明基于固相反应法，利用Co<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;、MnO<subgt;2<...

本发明公开的构筑在氧掺杂碳材料表面的酞菁镍分子催化剂及其制备方法和应用，属于分子催化剂技术领域，包括表面富含含氧官能团的碳材料以及负载在碳材料表面的NiPc分子，具体过程为：对碳材料进行氧化处理得到氧掺杂碳材料，洗涤、烘干后，与NiPc...

一种运行稳定钙钛矿发光二极管，属于钙钛矿发光/显示技术领域。所述钙钛矿发光二极管包括依次设置的带透明电极的基板、ZnO电子传输层、钙钛矿发光层、空穴传输层和阳极；其中，所述ZnO电子传输层为采用氨基或卤素封端的有机硅偶联剂表面修饰改性后...

该发明公开了一种基于近场扫描磁场幅值的系统级封装内芯片辐射重构方法，属于数据处理领域。本发明首先利用近场扫描测试系统获取芯片近场采样平面上的磁场幅值。因为SIP基板高介电常数的介质会显著影响芯片周围电磁场的分布，为了更准确地描述芯片周围...

本发明公开了一种基于光谱物理标定实现光谱重构的方法，属于红外光谱技术领域。本发明方法包括以下步骤：S1.数据采集，S2.光谱‑电学联合数据预处理，S3.光谱重构神经网络构建，S4.模型训练，S5.多目标优化，S6.模型测试。本发明在构建...

本发明提供了一种基于新型人工磁导体加载的小型化超宽带线阵，属于相控阵天线技术领域。该线阵由若干阵元一维周期排列组成；所述阵元，包括天线结构，以及设置在其两侧且与天线结构平行的两个人工磁导体加载结构。本发明通过将人工磁导体加载结构设置在线...