本发明的主题是一种通过对具有一定横截面面积的初级预制棒进行外包而制造最终光纤预制棒的方法，所述方法至少包括一个通过在掺氟石英管内部淀积内包层和中央芯而制造初级预制棒的步骤，这样选择所述管，其横截面面积最多比所述初级预制棒的横截面面积小１...

本发明涉及一种通过外包覆制造光纤最终预制棒的制造方法，包括如下步骤：提供初始预制棒；将所述初始预制棒定位在至少一个管内，其中所述至少一个管部分覆盖所述初始预制棒，形成待外包覆的区域，即外包层区域，所述外包层区域位于所述至少一个管外的初始...

本发明涉及一种通过内汽相淀积工艺制造光学预成形件的装置和方法，所述装置包括能量源和基管，其中基管包括用于供应玻璃成形前体的供应侧和用于排放还没有淀积在基管的内部的排放成分的排放侧，所述能量源可在供应侧处的反向点和排放侧的反向点之间沿着基...

用于对光纤预制件进行包覆的方法，该光纤预制件具有给定的最终预制件目标直径（Ｄ↓［０］），该方法包括：提供待包覆的初级预制件，以及通过与等离子体喷枪的相对平移而将石英颗粒喷射到该初级预制件上并且使石英颗粒玻璃化在该初级预制件上，连续地沉积...

本发明涉及一种用于借助于内部气相淀积工艺制造光学预制品的方法，其中使用能量源以及衬底管，其中能量源可在衬底管的在供给侧的反转点与排放侧的反转点之间的长度上移动。

本发明涉及一种通过在基管内进行一个或多个化学气相沉积反应来制备光学预制件的方法，所述方法包括以下步骤：ｉ）向基管提供一种或多种已掺杂的或未掺杂的玻璃成形前体，以及ｉｉ）在基管中引发步骤ｉ）中提供的反应物之间的反应，使得基管内部上形成一个...

本发明涉及实施ＰＣＶＤ沉积工艺的装置，其中一个或更多个掺杂的或未掺杂的玻璃层被覆在玻璃衬管的内部，所述的装置包括具有内壁和外壁的施加器和通到所述施加器的微波波导，所述施加器围绕一柱面轴线延伸并且装备有邻近所述内壁的通道，经由所述微波波导...

本发明涉及一种用于将初始预型体的一端与具有不同属性的二氧化硅棒的一端焊接起来的方法，该方法包括步骤：在等离子体焰炬下将二氧化硅颗粒投射并熔融在初始预型体的末端上和二氧化硅棒的末端上；以及使初始预型体的末端与二氧化硅棒的末端相接触，以便在...

本发明涉及一种设备和方法，用于通过内部气相沉积工艺来制造光学预制品，包括能量源以及衬底管，所述衬底管具有：供给侧，用于供给玻璃成形先驱体；以及排放侧，用于排放没有在衬底管内部上沉积的成分，而能量源可沿着衬底管的长度在供给侧上的反转点与排...

一种用于通过气相沉积过程制造光纤预制件的方法，其中创建等离子体条件，并且其中该等离子体在中空衬底管供给侧附近的反转点和排放侧附近的反转点之间沿着中空衬底管的纵向轴线来回移动，从而与一个阶段相关的烟灰沉积发生的位置在轴线方向上和与其他一个...

本发明涉及一种制造预制件以及由此获得的光纤的方法，其中基管的供给侧附近的反转点的位置在沉积工艺的至少一部分期间沿基管的纵向轴移动。

本发明公开了一种用于石英玻璃沉积管的连续焙烧方法。公开了一种在１５５０纳米波长下具有小于０．２５ｄＢ／ｋｍ衰减的光纤。该光纤由已经在９００℃至１２００℃之间热处理至少１１５小时的石英沉积管形成。

本发明涉及一种通过气相沉积工艺制备光纤预制件的方法，其中建立等离子体条件且其中等离子体沿空心基管的纵轴在空心基管靠近输入侧的反转点和靠近排放侧的反转点之间前后移动，其中在一相沉积和另一相沉积之间进行过渡沉积。

本发明涉及一种方法，用于通过气相沉积工艺来制造光纤预制件，其中在一个沉积阶段和下一个或多个沉积阶段之间执行中间步骤，该中间步骤包括向中空衬底管的供给侧提供蚀刻气体。