本发明涉及一种晶体生长领域，特别涉及一种铽镓石榴石磁光晶体的生长方法。本发明包括原料处理；原料配制；压制成型；抽真空；设置系统；升温熔料；下籽晶；引晶；放肩；拉伸；停炉等。本发明采用石墨电阻加热生长晶体避免使用价格昂贵的铱金，坩埚保温材...

本发明涉及一种晶体生长领域，特别涉及一种掺钕三硼酸钙氧钇晶体的生长方法。本发明包括原料制备；压制成型；抽真空；设置系统；升温熔料；下籽晶；引晶；放肩；拉伸；停炉等。本发明采用采用石墨电阻加热生长晶体避免使用价格昂贵的铱金，坩埚保温材料价...

本发明涉及一种晶体生长领域，特别涉及一种石榴石的生产工艺。本发明包括原料制备；压制成型；装炉；抽真空；设置系统；升温熔料；下籽晶；引晶；放肩；拉伸；停炉等。本发明采用采用石墨电阻加热生长晶体避免使用价格昂贵的铱金，坩埚保温材料价格低，减...

本发明属于晶体制备领域，特别公开了一种电阻炉单晶炉所需的石墨电极水平支架装置。该电阻炉单晶炉所需的石墨电极水平支架装置，包括单点连接石墨电极的主支架，其特征在于：所述石墨电极下方安装有支撑杆，支撑杆通过上端的石墨电流匹配块与石墨电极支撑...

本发明属于晶体制造领域，特别公开了一种电阻炉单晶制备中所需的钼坩埚。该电阻炉单晶制备中所需的钼坩埚，包括两个钼坩埚，其特征在于：所述两钼坩埚的外层均喷涂有氧化锆涂层，两个钼坩埚大小配合、上下套装在一起。本发明采用双层套筒氧化锆喷涂式钼坩...