本发明涉及一种高亮度发光二极体及其制造方法，特别涉及一种具有选择性高掺杂低电阻层的磷化铝镓铟的发光二极体。此选择性高掺杂低电阻层可以现有的磊晶技术成长，故可进行大批量生产，具有产业上的价值。

本发明是涉及一种高亮度发光二极管及其制作方法，特别是涉及在磷化铝镓铟双异质结构上成长一含氮化合物半导体以作为发光二极管的窗户层。由于此含氮化合物的能隙大于活性层所发出的光，且它的能隙较磷化镓低，因此适合用于制作窗户层，借以提高发光二极管...