本发明公开了一种三维集成电路结构的制备方法，包括以下步骤：S1、提供衬底，在衬底表面制备器件层，形成底部器件层；S2、在器件层表面制备绝缘层，并在绝缘层中设置通孔，在通孔中嵌入互联金属，绝缘层表面粗糙度小于0.2纳米，在绝缘层表面制备第...