一种基于深度Q学习的自动驾驶换道决策方法，属于自动驾驶技术领域。解决了现有自动驾驶车辆基于强化学习进行换道决策，由于驾驶环境状态复杂，导致学习的效率很低的问题。本发明采集目标自动驾驶车辆前后和同向左和/或右车道车辆的相对位置及与相对速度...

一种基于多维奖励架构深度Q学习的自动驾驶决策方法，属于自动驾驶技术领域。解决了现有驾驶决策方法存在多维度性能无法同时达到最优的问题。它采用视觉传感器和LIDAR传感器实时采集自动驾驶车辆所处的环境信息；获取图像信息和/或点云信息；将图像...

本实用新型提供了一种新型制造高纯度金属纳米材料的装置，包括送丝室和爆炸室，所述送丝室包括设置在爆炸室两侧的第一送丝室和第二送丝室，送丝室内设置有送丝装置，爆炸室设置有导电套、绝缘套及靠左侧的高压电极，所述导电套与储能电容的低压端相连，所...

本实用新型提供了一种新型电爆法金属纳米粉制取设备，包括反应器本体、爆炸导线、接地电极、电压脉冲源、高压电极及送丝装置，所述反应器本体包括送丝腔、爆炸腔及电压脉冲源腔，所述高压电极设置在爆炸腔内且与所述电压脉冲源相连；所述粉末收集和气体分...

本实用新型提供了一种电爆法生产纳米金属的分离仓，包括外壳、底部粉末收集器及进气管道，所述进气管道包括分布在外壳左右两侧的第一进气管道和第二进气管道，所述进气管道外侧设置有冷却层，外壳内部设置有左右分部的第一筒状筛网和第二筒状筛网，所述第...

本实用新型提供了一种电爆法制备金属纳米粉末的新型粉末收集装置，包括爆炸反应器及收集仓，所述收集仓包括自右向左依次设置的第一收集仓、第二收集仓及第三收集仓，所述第一收集仓通过双管状气体导管与所述爆炸反应器相连，所述收集仓由膨胀箱及粉末收集...

本实用新型提供了一种电爆法制备金属纳米粉末的过滤器，包括过滤器本体及混合物导入管，所述过滤器本体由气体分离仓和可拆卸的粉末收集仓组成，所述气体分离仓外侧设置有冷却器，冷却器内充满冷却液；所述气体分离仓内部上侧设置一隔离板，所述隔离板上固...

本实用新型提供了一种新型金属丝电爆装置，包括送丝室和爆炸室，送丝室内设置有若干并排排列的送丝装置，爆炸室由一绝缘隔板分隔为爆炸腔和电极腔，所述电极腔底部设置有滑轨，滑轨上方设置滑块，所述滑块上方设置有可以随滑块左右滑动的电极装置；所述电...

本实用新型公开了一种脉冲电源控制系统，该系统包括用于对所述脉冲电源的待调整电流和外部设定电流进行比较的上拉比较器；将所述上拉比较器输出的比较信号作为输入来源的采样/保持器，该采样/保持器在采样脉冲控制下对脉冲电流进行峰值采样或峰值保持；...

一种低压大电流大功率脉冲电源，包括：直流电源装置、逆变装置、脉冲控制装置和高频变压器装置，所述脉冲控制装置输出端与所述逆变装置控制端连接，包括产生两路频率在10kHz以上、占空比为48%-50%高频脉冲信号的高频信号发生器和控制所述高频...

一种大功率高压脉冲电源驱动电路，包括：第一驱动模块，所述第一驱动模块的输出端与第一绝缘栅双极晶体管的栅极相连；第二驱动模块，所述第二驱动模块的输出端与第二绝缘栅双极晶体管的栅极相连；每个所述驱动模块包括绝缘栅双极晶体管驱动芯片和与非门，...

一种大功率高压脉冲电源，包括：驱动单元,包括第一驱动模块和第二驱动模块；脉冲变压单元；绝缘栅双极晶体管单元，由两只并联在驱动单元和脉冲变压单元之间的第一绝缘栅双极晶体管和第二绝缘栅双极晶体管构成；电容单元，设置在绝缘栅双极晶体管单元与脉...

一种单脉冲电源，包括：中央控制单元、输入设定单元、光电隔离单元和驱动单元，其中，所述输入设定单元的控制信号输出端与所述中央控制单元的控制信号输入端相连，所述光电隔离单元的脉冲电源控制信号输入端与所述中央控制单元的脉冲电源控制信号输出端相...

一种直流叠加脉冲电源，包括：中央控制单元、输入设定单元、光电隔离单元和驱动单元，其中，所述输入设定单元的控制信号输出端与所述中央控制单元的控制信号输入端相连，所述光电隔离单元的脉冲电源控制信号输入端与所述中央控制单元的脉冲电源控制信号输...

一种高压脉冲电源，包括：驱动单元,包括第一驱动模块和第二驱动模块；脉冲变压单元；绝缘栅双极晶体管单元，由并联在所述驱动单元和所述脉冲变压单元之间的第一绝缘栅双极晶体管和第二绝缘栅双极晶体管构成；基极和发射极保护电路单元，包括第一基极和发...

本发明公开了一种脉冲电源控制系统和方法，其中的系统包括用于对所述脉冲电源的待调整电流和外部设定电流进行比较的上拉比较器；将所述上拉比较器输出的比较信号作为输入来源的采样/保持器，该采样/保持器在采样脉冲控制下对脉冲电流进行峰值采样或峰值...

一种低压大电流大功率脉冲电源，包括：直流电源装置、逆变装置、脉冲控制装置和高频变压器装置，所述脉冲控制装置输出端与所述逆变装置控制端连接，包括产生两路频率在10kHz以上、占空比为48%-50%高频脉冲信号的高频信号发生器和控制所述高频...