本发明提供了一种平面嵌入式硅膜电容压力传感器及其制造方法。本发明的传感器的硅膜下面的空腔是从硅片的正面掏空硅体而形成的密封腔体，电容器的电极分别做在腔体内硅膜的下表面和腔体的底面上，电容器的上下电极和硅膜由绝缘介质所隔离和支撑。它是采用...

本发明提供了一种单面加工硅梁压阻加速度传感器及其制造方法，该传感器的特点是具有起质量块作用的硅膜的二条或四条对称分布的硅梁水平跨接在局部掏空的硅片上并由其硅片所支撑，其形成的主要步骤为：ａ、采用外延、扩散或离子注入技术提供制作硅梁和硅膜...

本发明提供了一种正面加工硅膜压阻压力传感器及其制造方法，该传感器的特点是硅膜下的空腔是从衬底硅体内镂空形成的空腔腔体，它的形成步骤ａ、在衬底硅膜设计区的下方及两侧进行重掺杂，形成连通的低阻区；ｂ、采用阳极氧化技术，使低阻区的硅转变成多孔...

本发明涉及一种集成硅膜热流量传感器及其制造方法，该传感器的特点是采用隔热作用的硅膜，硅膜悬在将硅片局部挖空而形成的空腔上，并由腔体壁所支撑，用作加热器的硅电阻器和热探测器的Ｓｉ／Ａｌ热偶堆分别制作在硅膜上。硅膜是采用扩散或离子注入、硅外...