川崎雅司专利技术

川崎雅司共有1项专利

  • 一种薄膜晶体管,在栅电极上形成包括第1绝缘膜和第2绝缘膜的栅绝缘膜,在第2绝缘膜上形成用ZnO等的半导体层。第1绝缘膜用绝缘性高的SiN↓[X]等形成,另一方面,第2绝缘膜由氧化物(例如SiO↓[2])形成。根据该结构,能够实现与第2绝...
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