本发明提供了一种碳化硅BJT器件结构及制备方法，涉及半导体器件制备技术领域，包括如下步骤：在衬底上的外延层内形成与外延层掺杂类型相反的终端结构；在外延层的上表面生成基区；在基区的上表面生成发射区；在基区和发射区上分别生成基区引线金属；在...

本发明提供了一种深层网格结的碳化硅肖特基二极管及其制造方法，包括：N型衬底；N‑外延层，设置在N型衬底的一侧；P+离子注入层，设置在N‑外延层上；P+离子高浓度注入层，设置在N‑外延层上；N+离子注入层，设置在P+离子注入层上；P+离子...

本发明提供了一种抗辐射功率器件及其制造方法，包括第一导电类型外延层、形成于第一导电类型外延层中的第一导电类型区域与第二导电类型区域、形成于第一导电类型外延层上的栅极结构与源极金属层；所述源极金属层与部分栅极结构的氧化层上形成有抗辐射层。...

本发明提供了一种ONO介电介质栅极结构的SiC MOSFET芯片及制造方法，包括：N+衬底和N‑外延，在N‑外延内设有P‑well注入区、N+注入区、P+注入区；ONO栅极结构包括：依次堆叠设置的第一栅极氧化层、第一栅极SiN层、第二栅...