本发明提供的固态功率源功率串级调节控制方法、MCU及存储介质,涉及固态功率源技术领域，方法应用于MCU，包括：由MCU内的外环PID控制器获得功率差值，根据功率差值计算出期望功率变化速率；其中，功率差值是固态功率源的功率设定值与实际输出...

本技术实施例提出一种LC功分器及射频电源模块，涉及功分技术领域。该LC功分器包括第一功分支路、第二功分支路和第一电容，第一功分支路包括第一电感和第二电容，第二功分支路包括第二电感和第三电容；若第一输出端口的输出功率与第二输出端口的输出功...

本发明提供了一种导体组件，属于电子设备领域导体组件包括管状导体和连接导体，管状导体为中空管状结构，管状导体的侧壁上设置有圆形的侧壁通孔。连接导体包括连接头和本体；连接头连接于本体的一端，连接头整体为圆柱状，连接头设置有锥形通孔，锥形通孔...

本技术涉及微波处理技术领域，尤其涉及一种激励块、同轴‑波导结构及功率合成装置，所述激励块包括设置有缺口的激励部，还包括自激励部上表面凸出成型的连接部，提供了一种便于装配的激励块，所述同轴‑波导结构包括所述激励块，所述功率合成装置包括所述...

本发明涉及一种射频电源及其测试分析方法，射频电源包括主控制器；从控制器根据主控制器的指令或预设算法，对射频电源的输出进行调节和控制，以通过编程实现射频电源的逻辑功能；DDS源根据生成特定波形和频率的信号源；ADC检波模块采集射频电源的模...

本发明提供了一种微波等离子体化学气相沉积设备及改善镀膜质量的方法，属于微波技术领域。上述沉积设备包括机架、腔体、样品台及升降驱动装置，机架包括放电腔底板。腔体的底部与放电腔底板的上部连接，并围合形成放电腔。样品台设置在放电腔内，样品台的...

本申请实施例中提供了一种具有滤波功能的功分器及电源。该功分器包括第一功分支路、第二功分支路、第一串联谐振电路和第二串联谐振电路，第一功分支路与第一串联谐振电路连接，第二功分支路与第二串联谐振电路连接，通过第一串联谐振电路抑制第一功分支路...

本技术提供了一种功率合成器及微波设备，属于微波技术领域。功率合成器，其包括功率合成单元，功率合成单元用于将多路微波信号合成一路信号；功率合成单元大致为扁圆筒状，其包括大致为圆形的固定板所述安装板包括第一端和第二端，安装板的第一端与所述固...

本申请涉及一种四路功率合成器，包括：降阻抗变换器和升阻抗变换器，降阻抗变换器用于将阻抗变为原阻抗的1/2，分两路信号输出；升阻抗变换器与降阻抗变换器的两个输出端连接，用于完成功率合成的同时将阻抗变回原阻抗。降阻抗变换器包括两根同轴线、两...

本发明涉及一种射频电源系统DLP非线性校正方法、装置、设备及介质，包括根据获取到的射频电源系统的工作模式信息，确定射频电源系统是否处于幅度调制模式；在射频电源系统处于幅度调制模式的情况下，获取射频电源系统当前选择的期望输出功率值；根据当...

本发明涉及一种射频电源传感器的测试分析方法、设备及存储介质，包括在射频开环输出的情况下，根据不同输出功率对射频电源传感器进行功率线性度数据采集，得到不同输出功率下传感器通道和ADC信号采集链路通道在多个功率测试指标的功率测试采集数据；根...

本发明提供的一种自动阻抗匹配方法、装置、系统及微波设备，涉及微波技术领域，监测系统阻抗失配后当各销钉均位于初始位置时按预设销钉组合联调顺序调各销钉组合中各销钉的插入位置，到最小反射系数对应位置停止；各销钉组合联调后若未失配则停止并返回监...

本技术涉及电磁波技术领域，具体而言，涉及一种内导体组件、同轴结构及功率合成装置，所述内导体组件包括第一导体、第二导体和至少2件第三导体，所述第二导体、第三导体均与第一导体连接，所述第一导体与第二导体的长度之和为λ/4，提供了一种可将热量...

本技术涉及微波等离子体技术领域，具体而言，涉及一种分水器、样品台组件及MPCVD装置，所述分水器包括呈圆盘状结构的分水器本体，所述圆盘状结构的顶部设置有通孔，所述圆盘状结构的底部设置有连接部，所述连接部之间间隔设置并形成通道，提供了一种...

本技术提供了一种管道组件及微波设备，属于管道连接技术领域。管道组件包括第一管道和第二管道，第一管道和第二管道的外壁上均设置有连接部；第一管道和第二管道的端部抵接，抵接处设置有连接结构。连接结构包括螺母、紧固螺栓和两个连接杆，连接杆包括连...

本技术涉及微波等离子体化学气相沉积技术领域，具体而言，涉及一种联轴器、样品台组件及MPCVD装置，所述联轴器包括与锁紧筒连接的连接板，所述锁紧筒与连接板之间设置有第一缺口，所述第一缺口沿锁紧筒的径向延伸，所述锁紧筒的端面设置有第二缺口，...

本技术涉及微波技术领域，具体而言，涉及一种导体、微波传输线及功率合成装置，所述导体包括主路、第一支路和第二支路，所述主路包括长度为、阻抗为的第一导体，所述第一支路包括长度为、阻抗为的第二导体，所述第二支路包括长度为、阻抗为的第三导体，所...

一种延长单晶金刚石批量生产生长时长的方法，属于金刚石制备技术领域。该方法包括：将晶种置于基片台中并在工作腔内进行生长，基片台设有凹陷部，凹陷部设有凹槽，晶种放置于凹槽中并使得单晶生长面低于基片台的上表面0.6mm以上，相邻两个晶种之间的...

本技术涉及微波技术领域，具体而言，涉及一种波导魔T，包括设置在波导腔内的匹配柱组件和调谐台，所述匹配柱组件包括匹配柱和导流管，所述匹配柱设置有第一容纳腔，所述导流管的一端伸入到第一容纳腔内，提供了一种能够有效散热的波导魔T。

本发明提供了一种放电腔结构、化学气相沉积设备及放电腔结构冷却方法，属于化学气相沉积设备领域。上述放电腔结构包括：腔体、样品台、及冷却容器，腔体包括底板；样品台设置在腔体中，用于放置待镀膜的基片。冷却容器设置在样品台的下方，并与底板或样品...