成都艾晨思彦科技有限公司专利技术

成都艾晨思彦科技有限公司共有13项专利

  • 本技术属于微波传输技术领域,公开了一种BJ9波导大功率水负载,包括法兰,所述法兰上安装有壳体,所述壳体上穿设有石英玻璃管,所述石英玻璃管和壳体之间设置有硅胶密封圈,所述壳体的一端设置有第一防护箱,所述壳体的另一端设置有第二防护箱,所述第...
  • 本技术属于波导转换装置技术领域,公开了一种新型L波段扭波导,包括中端,所述中端的一端设置有前端,所述中端的另一端设置有后端,所述前端远离中端的一侧设置有第一波导管,所述后端中端的一侧设置有第二波导管,所述第一波导管远离前端的一侧设置有第...
  • 本技术涉及环形器技术领域,公开了一种新型L波段超大功率差相移式环形器,包括魔T功分器,魔T功分器上设有魔T功分器盖板,魔T功分器上设有魔T功分器接口,魔T功分器尾部设有移相器组件,移相器组件包括移相器下腔,移相器下腔上设有移相器上腔上设...
  • 本发明属于卫星通信技术领域,公开了一种新型KaKu双频段收发无源组件,包括中间腔体,中间腔体的一侧设置有腔体下盖,腔体下盖远离中间腔体的一侧设置有扭波导盖板,中间腔体的另一侧设置有上腔体,上腔体远离中间腔体的一侧设置有上腔体盖板,中间腔...
  • 本技术涉及波导压力窗技术领域,公开了一种高功率矩形波导压力窗,包括上腔体,上腔体下方设有下腔体,上腔体与下腔体表面均呈矩形状设置,上腔体与下腔体之间设有圆波导,上腔体与下腔体上分别贯通设有上腔通孔和下腔通孔,圆波导的两端分别与上腔通孔和...
  • 本技术涉及耦合器技术领域,公开了一种新型S波段大功率12路合成耦合器,包括合成外壳,所述合成外壳端面设有连接壳,所述连接壳一侧设有耦合外壳,所述耦合外壳端面设有总接头,所述合成外壳内设有合成腔,所述合成腔内设有圆台,所述圆台相对合成外壳...
  • 本实用新型涉及波导压力窗技术领域,公开了一种新型大功率双脊波导压力窗,包括上腔体和下腔体,上腔体与下腔体呈相对状设置,且上腔体和下腔体中部贯通设有双脊波导口,上腔体上设有上卡口,下腔体上设有下卡口,上卡口与下卡口之间设有窗片,且上卡口和...
  • 本实用新型涉及隔离器技术领域,公开了一种分体式波导隔离器拼装结构,包括上腔体和下腔体,所述上腔体和下腔体两侧共同设有装配组件,所述装配组件包括设置在上腔体上的定位框,所述定位框上设有凹口,且所述定位框上设有装配块,所述装配块内设有卡合腔...
  • 本实用新型涉及波导隔离器技术领域,公开了一种大功率波导隔离器热量排散结构,包括隔离器,所述隔离器上开设有通孔,所述隔离器内设有铁氧体,且所述铁氧体覆盖在通孔底部,所述铁氧体上方设有风冷机构,所述风冷机构包括风罩,所述风罩罩设在通孔上方,...
  • 本实用新型涉及波导隔离器技术领域,公开了一种具有单向传输功能的波导隔离器,包括上腔体和下腔体,上腔体与下腔体呈对称状设置,上腔体和下腔体内均设有铁氧体,且上腔体与下腔体之间共同设有传输通道,上腔体与下腔体的两侧设有汇流壳,汇流壳呈弧形设...
  • 本实用新型涉及微波传输技术领域,公开了一种新型大功率波导水负载,包括上壳体和下壳体,上壳体与下壳体相配合,上壳体与下壳体开口处均设有外沿口,且上壳体与下壳体之间共同分隔有空腔,上壳体表面设有上侧块,下壳体表面设有下侧块,上侧块与下侧块之...
  • 本实用新型涉及隔离器技术领域,公开了一种大功率波导隔离器,包括上腔体和上腔体下端设置的下腔体,上腔体和下腔体内腔壁分别设置有铁氧体,上腔体和下腔体一侧开设有输出口,其相对另一侧开设有输入口,上腔体和下腔体内部设置有水负载,水负载包括上腔...
  • 本发明涉及隔离器技术领域,公开了大功率波导隔离器,包括上腔体和上腔体下端设置的下腔体,上腔体和上腔体内腔壁分别设置有铁氧体,上腔体和下腔体一侧开设有输出口,其相对另一侧开设有输入口,上腔体和下腔体内部设置有水负载,水负载包括上腔体外表面...
1