陈大治专利技术

陈大治共有2项专利

  • 本发明公开了一种场发射电子源,其包括(i)单晶钨丝,其具有从丝主体延伸出来的尖端,以及(i i)在尖端的部分表面或整个表面上形成的ZrO。在优选设计中,单晶钨丝放置在由氧气和其它气体组成的气体介质中。氧气与其它气体的摩尔比大于1:1。
  • 一种记忆卡讯号转接器的增益装置,是于一壳体所需处分别设置有各端子插槽,可供XD-Picture端子、MMC端子和SD端子、MS端子、各定位弹片及长弹片与短弹片插固,一金属罩壳可供与壳体相卡固形成一讯号转接器,其特征在于,于金属罩壳设有数...
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