本申请涉及一种光栅耦合器及其制备方法，包括：衬底、下包层、第一光栅层、第一上包层、第二上包层及第二光栅层，其中，下包层位于衬底一侧；第一光栅层位于下包层远离衬底的一侧，包括第一光栅结构以及波导结构；第一上包层覆盖第一光栅层，且第一光栅层...

本发明涉及一种光栅耦合器及其制备方法，涉及硅基光电子芯片技术领域，该光栅耦合器包括了基底以及位于基底的一侧的波导层，该波导层包括光栅区，在波导层的远离基底的一侧设置有超表面结构。该超表面结构可以对入射光进行相位调控，从而调整不同波长的入...