一种形成外延层的方法，包括由第一次淀积处理在基片上淀积缓冲层，随后由第二次淀积处理淀积外延层。通过使用这种双处理，对于每一层的不同材料，通过第一和第二次淀积处理使性能、生长率和成本最佳化。由双淀积处理制备的半导体异质结构包括由ＭＯＣＶＤ...

一汽相沉积系统的反应装置，它包括导向反应管出口的反应室和导向护套出口的护套。反应管出口和护套出口位于反应装置的远侧端，该远侧端包括化合物喷嘴。反应装置能产生用于喷向目标基片的化合物气体流。化合物气体流包括反应剂气体流和护套气体流，其中护...

一种汽相沉积系统，包括一个或多个用来促进反应剂气体向下游通过的槽道装置，一汽相沉积系统的反应器包括一个或多个槽道来促使反应剂气体在衬托器斜面区段下面通过。一衬托器，在进行基片上外延生长过程中安置在反应器中，它包括一截头的斜面区段和一截头...

一种在非天然基片上形成Ⅲ－Ⅴ化合物的相对厚外延膜的方法，涉及在生长温度下在基片上接续形成多层外延层。在外延生长重新开始之前，通过将基片和每一接续生长的外延层冷却到亚生长温度，而将样品中的应力（由于基片与外延层之间的热学不匹配性所致）减弱...

掺杂镁的高质量ＩＩＩ－Ｖ氮化物层及其制法。一种Ｐ型氮化镓，氮化铟，或氮化铝层可通过氢化物气相外延（ＨＶＰＥ）方法在兰宝石基片上生产，ＨＶＰＥ过程使用一种金属供料混合物，它包括镁和ＩＩＩ族金属（Ｇａ，Ｉｎ，Ａｌ）。氮化镓，氮化铟，或氮化铝...

洗涤器组合，用来除去排放气流中的水溶性和／或碱性的气体。它应用的是盛放在至少一个洗涤器容器内的一个洗涤器混合物。洗涤器混合物包含一种酸的水溶液的液相和一种固态有机酸的固相。优选洗涤器混合物所含的固态羧酸毒性低，对体系组件的腐蚀性小。在一...