一种用于形成多孔III族氮化物材料的方法，包括以下步骤：将III族氮化物材料暴露于气体中，将III族氮化物材料耦接到电源的一个端子，将电极耦接到电源的另一个端子，通过气体形成电路。所述方法包括以下步骤：使电路通电以在III族氮化物材料中...

一种控制包含可变波长LED的LED显示器件的方法包含以下步骤：向可变波长LED提供电源；以及控制电源以在发射波长范围内改变LED的峰值发射波长。提供了控制显示器件以再现特定光谱的方法。

显示器件包含发光二极管(LED)，该发光二极管包括多孔半导体材料，其中该器件包含像素，该像素包含多个子像素，每个子像素具有发光层。第一子像素具有第一发光层，该第一发光层具有第一面积A1，并且第二子像素具有第二发光层，该第二发光层具有不同...

提供了一种包含可变波长发光二极管(LED)的显示器件，该可变波长LED包含n掺杂部分、p掺杂部分和位于n掺杂部分与p掺杂部分之间的发光区域。发光区域包含发光层，该发光层在跨过其的电偏压下以峰值发射波长发光。LED被配置成接收电源，并且通...

提供了一种可变波长发光二极管(LED)，该可变波长LED包含n掺杂部分、p掺杂部分和位于n掺杂部分与p掺杂部分之间的发光区域。发光区域包含发光层，该发光层在跨过其的电偏压下以峰值发射波长发光。LED被配置成接收电源，并且通过改变电源，L...

一种控制层状半导体结构中的弯曲的方法，包括步骤：在衬底上提供包括第一III族氮化物半导体材料层的层状半导体结构，该层状半导体结构具有第一弯曲，并且在第一III族氮化物半导体材料层上方形成III族氮化物半导体材料的多孔区，其中包括多孔区的...

一种LED装置，包括多个发光二极管(LED 120、130、140)和被布置为对由多个LED发射的光进行过滤的滤光器(200)。滤光器包括第一区域(20)，其被布置为对从多个LED的第一部分发射的光进行过滤，其中，滤光器的第一区域包括分...

一种制造LED装置的方法包括步骤：在III族

一种制造LED装置的方法包括步骤：在第一LED结构上方形成第二LED结构，其中所述第一或第二LED结构中的至少一者位于III族

一种发光二极管(LED)包括：n掺杂部分；p掺杂部分；及发光区域，其设置在该n掺杂部分与该p掺杂部分之间。该发光区域包括：发光层，其在电偏压通过的情形下以在400nm至599nm之间的峰波长发光；III族

一种制造LED装置的方法包括步骤：提供模板，该模板包括III族

一种用于在用电解液进行电化学多孔化期间保持半导体晶片的晶片保持器包括：壳体，其用于容纳半导体晶片；壳体中的孔口，半导体晶片的上表面通过该孔口可暴露于电解液；密封件，其围绕孔口延伸，用于防止电解液进入壳体中；以及电触头，其用于与半导体晶片...

一种半导体结构包括：第一III族氮化物材料层，其具有第一晶格尺寸；第二III族氮化物材料的无孔层，其具有不同于第一晶格尺寸的第二晶格尺寸；以及III族氮化物材料的多孔区域，其布置在第一III族氮化物材料层与第二III族氮化物材料的无孔层...

一种制造微型LED的方法包括以下步骤：在III族氮化物材料的多孔区域上方形成III族氮化物材料的n掺杂连接层；以及在n掺杂连接层上形成电绝缘掩模层。方法包括以下步骤：去除掩模的一部分以暴露n掺杂连接层的暴露区域；以及在n掺杂连接层的暴露...

一种红色发光二极管(LED)包括：n掺杂部分；p掺杂部分；以及位于n掺杂部分与p掺杂部分之间的发光区域。发光区域包括：发光氮化铟镓层，其在跨越其的电偏压下发射峰值波长在600nm至750nm之间的光；III族氮化物层，其位于发光氮化铟镓...