本发明公开了一种高性能芯片的散热功能结构及制备方法，属于半导体封装技术领域，该结构创新性地集成了水平与垂直双向散热路径；水平散热路径由内置于多个散热器件中的蛇形微流道冷却通道构成，通过外接泵驱动冷却液以0.1‑1 ml/min的流速循环...

本发明公开了一种扇出型倒装芯片封装空腔结构及封装方法，包括一对扇出型导电结构A并间隔形成空腔；扇出型导电结构A上端面设导电端及空腔侧的铜柱虚拟坝；芯片设两组焊脚，一组与导电端电连接，另一组与铜柱虚拟坝机械连接；扇出型导电结构A表面电镀铜...

本发明公开了一种用于WLP Bumping的BSM光刻制程方法，在硅晶圆上构建含聚酰亚胺与金属的顶部层结构；玻璃晶圆涂覆临时键合材料后与硅晶圆键合，翻转后研磨减薄硅晶圆背面；经背面硅刻蚀、溅射Ti/Cu形成多层薄膜；通过黄光制程制备光阻...

本发明公开一种用于汽车激光雷达的扇出型封装结构及方法，包括基板，其上设透光材料层，层内有两个独立密闭的第一、第二腔室，分别放置接收芯片和发射芯片；两腔室顶部设不对称玻璃盖板，相对封装底面有5°至30°倾角，以优化光学路径、减少内部反射；...

本发明属于半导体封装技术领域，公开了一种双面冷却QFN封装结构及其形成方法。该结构包括封装基体、芯片、金属引线和模塑封装体，其中封装基体具有安装区域和两侧的多层凹陷区域，安装区域上表面和凹陷区域表面局部镀有银层；芯片固定于安装区域上表面...

本发明公开了一种aEASI功能优化的扇出型封装工艺与结构，涉及半导体封装技术领域，包括制备含垂直互连通道的ASIC控制模组；以玻璃为临时基板，通过热解胶固定3P2M构型扇出型导电结构A；倒置安装ASIC模组后用环氧模塑料包覆并研磨减薄；...

本发明公开一种基于扇出型封装的电源芯片结构及工艺，包括基材，基材正面设浅沟槽隔离，表面设介质层，介质层对应浅沟槽两侧分设第一凹槽、第二凹槽，分别内置肖特基二极管、金属氧化物半导体场效应晶体管；介质层上依次设第一钝化层、镀铜层、第二钝化层...

发明属于半导体封装技术领域，具体公开了一种双面冷却封装结构及形成方法。该双面冷却封装结构包括晶粒和基板，晶粒通过键合固定连接到基板上，还包括第一散热金属板，第一散热金属板通过两侧设置的金属柱固定在基板上，晶粒位于两侧金属柱之间；基板与金...

本发明公开了一种用于Fan‑out WLP的界面增强结构及其制作方法，属于半导体封装技术领域，包括多层聚酰亚胺层和铜重布线层，在虚拟区域的铜重布线层上设置有多个槽孔，所述槽孔将铜重布线层分割成多个孤立单元，通过热压固化使槽孔内填充的聚酰...

本发明公开了一种用于超声波收发器空腔形成的止动条结构及封装方法，属于微机电系统（MEMS）封装技术领域，所述止动条结构设置于芯片表面空腔区域外围，用于在模塑工艺中阻挡模塑材料流入空腔区域，其中，所述止动条采用合围呈内外至少两圈的布局方式...

本发明公开一种GPU芯片的CoWoS封装工艺，步骤如下：S1、以玻璃晶圆作临时载体形成玻璃基板，涂覆临时键合胶层；S2、用深反应离子蚀刻技术形成铜质硅通孔，沉积绝缘层和阻挡层，图案化金属布线层，用Cu Pin制程优化TSV制造形成铜柱互...

本发明提供了一种微机电组件之扇出型微机电组件封装方法，属于微机电系统（MEMS）封装技术领域，涵盖选用玻璃/硅基板作芯片盖板并刻蚀腔体，精准布置MEMS芯片电性接点并密封，研磨盖板后蚀刻切割形成端盖，涂覆介电层并光刻定义图形，电镀RDL...

本发明属于半导体制造领域，具体涉及一种薄晶圆的bumping工艺方法：S1：对玻璃载片和晶圆的键合面进行清洗与活化处理；S2：在玻璃载片的键合面上涂覆键合胶，然后将晶圆与涂有临时键合胶的玻璃载片对准并压合，形成一刚性复合结构；S3：对所...

本发明公开了一种基于预制线路的光学通道结构及其制备方法，属于半导体封装技术领域，所述方法包括：在基板介电层上形成金属走线图案；施加金属走线在介电层上方，再施加介电层在其上方；减薄介电层以暴露走线顶部；移除金属走线，形成空腔；在空腔内壁及...

本发明提出一种鳍式垂直interposer扇出型封装方法，属于半导体封装技术领域，涵盖鳍式垂直结构制备、玻璃基板处理及导电层构建、鳍式垂直结构安装与倒装芯片键合、封装及顶层结构设置等步骤；通过旋涂形成PI层，利用铜电镀或PVD制作铜布线...