本申请实施例提供一种半导体工艺设备及其承载装置。该承载装置设置于半导体工艺设备的工艺腔室内，其包括：卡盘、温控器、导热结构及压紧结构；卡盘设置于温控器上，卡盘的顶面设有承载面，承载面用于承载并吸附待加工件；温控器用于通过卡盘对待加工件的...

本实用新型提供一种晶片承载装置，设置在半导体工艺设备的工艺腔室中，包括承载主体和压紧部件，其中，承载主体可移动，用于承载并吸附晶片，压紧部件搭接在工艺腔室中的内衬上，并与承载主体可分离的配合，用于将晶片的边缘压紧在承载主体上。本实用新型...

本实用新型提供一种静电卡盘，包括静电卡盘基座和设置在静电卡盘基座上的承载盘，静电卡盘基座中形成有中形成有用于控温流体流通的控温通道，控温通道包括第一通道和第二通道，第一通道与第二通道沿静电卡盘厚度方向间隔设置，且第一通道与第二通道在静电...

本实用新型提供一种半导体工艺设备及其静电卡盘，该静电卡盘包括介质主体和设置在介质主体中的电极；介质主体至少包括沿竖直方向依次设置的第一支撑面和第二支撑面，第一支撑面上设置有多个第一凸起，第二支撑面上设置有多个第二凸起，多个第一凸起的高度...

本申请提供一种半导体工艺设备及其静电卡盘组件，该静电卡盘组件包括静电卡盘和控温基座，静电卡盘设置在控温基座上，与控温基座固定连接，其特征在于，静电卡盘包括电极和包裹电极的介质层；控温基座中设置有控温通道，控温基座的材质为金属基陶瓷颗粒增...

本发明提供一种静电卡盘及半导体加工设备，其包括卡盘本体和与卡盘本体连接的基座，其中，在卡盘本体与基座彼此相对的表面之间设置有匀热层和粘接层，其中，粘接层环绕在匀热层的周围，用以将卡盘本体与基座粘接；匀热层的热导率高于粘接层的热导率，用以...

本发明提供一种静电卡盘及半导体加工设备，包括卡盘本体、基座、匀热板和多组连接组件，其中，卡盘本体叠置于基座上，卡盘本体的底部包括凹部，基座的顶部包括与凹部配合的凸部；每组连接组件均包括连接件、紧固件和锁紧件；连接件位于凹部和凸部在竖直方...

本发明提供一种承载装置，卡盘包括冷却基座和设置在冷却基座上的承载层，承载层用于承载待加工件，冷却基座包括层叠设置的至少一层冷却层和至少一层加热层，冷却层中设置有用于流通冷却介质的冷却通道，用于对承载层进行冷却，加热层中设置有加热件，用于...

本发明提供一种用于半导体工艺设备的承载装置，包括第一承载台和环绕第一承载台设置的第二承载台，第一承载台具有第一承载面，第二承载台具有第二承载面，且第一承载面与第二承载面共同形成承载装置用于承载待加工工件的承载面，承载装置还包括位置调节组...

本发明提供一种半导体承载装置及半导体设备，其中，半导体承载装置包括基座主体和粘接在基座主体上的卡盘本体，基座主体用于承载卡盘本体，卡盘本体用于承载待加工工件，卡盘本体包括承载部和遮挡部，承载部设置在基座主体上，用于承载待加工工件，承载部...

本发明提供一种静电吸附承载装置及半导体设备，其中，静电吸附承载装置用于在半导体设备的工艺腔室中承载并吸附待加工工件，包括第一静电吸附承载组件和第二静电吸附承载组件，第一静电吸附承载组件能够设置在工艺腔室中，用于承载并吸附第二静电吸附承载...

本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其承载装置。该承载装置设置于半导体工艺设备的工艺腔室内，用于承载待加工件，其包括：卡盘、冷却盘及冷却组件；卡盘设置于冷却盘上，用于承载并固定待加工件；冷却盘内设置有冷却流道，用于通入冷却介质以通过卡...

本发明提供了一种半导体工艺设备及承载装置。该承载装置包括：卡盘组件、加热器及冷却组件；卡盘组件设置于加热器上，用于承载并固定待加工件；加热器用于对待加工件加热，并且加热器底部具有冷却空间；冷却组件设置于冷却空间内，通过冷却组件将冷却气体...