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北京有色金属研究总院专利技术
北京有色金属研究总院共有2804项专利
一种用于直拉硅单晶炉热场的主发热体制造技术
本实用新型提供一种用于直拉硅单晶炉热场的主发热体。该主发热体由石墨制成,它用在一种名为切克劳斯基(或称直拉)法制造的硅单晶生长制备中,用于供给维持热场用的热量。本主发热体呈波浪状,在波浪转弯处的外壁做成直边倒角,直边与发热体轴线的倾角为...
带过流保护的萤光灯用电子镇流器制造技术
本实用新型是对荧光灯用节能电子镇流器的一种改进。在电子镇流器线路中串入主要带常闭触点和常开触点的继电器组成的过流保护电路可以使镇流器在荧光灯管老化不启辉而引起工作电流增大时自动切断电流,起到保护镇流器免受损伤或烧坏的作用。
氮化硅电热塞中氮化硅与金属的一步活性连接方法技术
本发明属于陶瓷与金属的连接方法,它包括部件清洗、装置活性钎料及钎焊,由于选用含有活性组元的活性焊料作为钎接料,因此,此方法工序简单,又可以改善钎料与氮化硅的浸润性,提高连接的可靠性。
加热丝用绝缘材料及其制备方法和其应用技术
一种加热丝用绝缘材料,其特征在于:该加热丝用绝缘材料的组成成份和含量为: SiO↓[2] 30-70wt% Al↓[2]O↓[3] 5-35wt% Na↓[2]O 5-20wt% CaO 5-25wt% ...
一种LED用红色荧光粉及其制备方法和所制成的电光源技术
一种可被紫外、紫光或蓝光LED有效激发而发红色光的荧光粉,其特征在于:该材料的化学式为:A↓[a]MO↓[b]∶Eu↓[x],R↓[y] 其中,A为Sc,Y,La,Gd,Yb,Lu,Li,Na,K,Rb,Cs,Mg,Ca,Sr,B...
防垢电加热管及其制备方法技术
本发明涉及一种防垢电加热管及其制备方法,属于电加热器中的加热元件。它主要由加热源、绝缘层及外表层三层构成,加热源位于中间,绝缘层位于加热源与外表层之间,将加热源与外表层隔离开,外表层采用钛或钛合金材料,表面镀有贵金属化合物防垢层。本发明...
一种用于单晶炉的柔性水冷金属电极制造技术
一种用于单晶炉的柔性水冷金属电极,它包括有水冷铜管电极、不锈钢电极夹头、铜密封套,所述的水冷铜管电极的下部与不锈钢电极夹头进行焊接,并形成水冷循环,所述的水冷铜管电极的上部穿过铜密封套,并与铜密封套进行密封焊接。所述的水冷铜管电极是一根...
一种用于砷化镓单晶生长的光学测径装置制造方法及图纸
一种用于砷化镓单晶生长的光学测径装置,其特征在于:它包括图像采集部分、图像选择部分、图像处理部分及测量结果输出部分,各部分间通过数据传输线缆联接,其中: 所述的图像采集部分为一架设在砷化镓单晶生长炉室观察窗外的数码摄像机; ...
电子称称量自动打印系统技术方案
本实用新型公开了一种电子称称量自动打印系统,包括一组电子天平及打印机,它还包括:在前端设置一供工作人员的操作终端;安装数据库和应用程序系统模块的服务器,用于处理前端事务及存储电子天平输出的重量数据;所述服务器通过局域网络与前端工作人员的...
场效应管过流保护装置制造方法及图纸
本实用新型涉及一种用于防止场效应管在工作过程中因电流过大导致过热而损坏的装置,属于基本电气元件的保护装置。该装置主要由采样电阻(R↓[1])、限流电阻(R↓[2])及执行元件(3)构成,采样电阻(R↓[1])串联在场效应管的漏极电路中,...
脉冲电源的脉冲控制电路制造技术
一种脉冲电源的脉冲控制电路,它包括脉冲峰值/基值设定电路和脉冲频率/占空比设定电路,其特征在于: 所述脉冲频率/占空比设定电路由数显时间继电器构成; 该数显时间继电器的输出控制端与脉冲峰值/基值设定电路的控制端相连。
绝缘栅极双极晶体管斩波器制造技术
本实用新型属于等离子切割机、电焊机用电源的斩波器,它包括三相变压器、整流器、开关管、控制电路,其中开关管是绝缘栅级双极晶体管,采用电压驱动电路驱动,绝缘栅极双极晶体管与驱动电路连接,驱动电路的输入由脉宽调制器供给,本设计的斩波器具有驱动...
电液伺服阀力马达励磁装置制造方法及图纸
本实用新型提出的电液伺服阀力马达励磁装置由内导磁体、外导磁体、励磁线圈、两个定位环、隔离条等零件组成。励磁线圈是缠绕在内导磁体上的几组同心线圈,各组线圈之间有间隙,利用间隙内空气的流通或冷却液的流通可改善线圈的散热条件。从而使励磁装置可...
一种镍氢动力电池的恒电压充电方法技术
本发明公开了一种镍氢动力电池的恒电压充电方法,它是选用一个或两个以上匹配充电电压值对一组为N个的电池进行全过程充电。当选用一个匹配充电电压值对一组为N个的电池进行充电时,根据所需充电容量,可选用1.3×N~1.5×Nv。当选用两个以上的...
二次电池恒流恒压充电装置制造方法及图纸
本实用新型涉及一种二次电池的充电装置,尤其涉及一种需恒流恒压充电的二次电池的充电装置。该装置主要由外壳、电池支架及控制电路组成,其控制电路由基准电路、采样电路、比较电路、执行机构及保护电路组成,通过采样电路采集电池电压,并与基准电路相比...
加有补偿掺杂剂的GaAs激光窗口材料及其制备方法技术
一种含有补偿掺杂剂的GaAs激光窗口材料,该激光窗口材料是采用原料为Ga和As,经合成、拉晶而制成,其特征在于:在合成前所采用的原料还有补偿掺杂剂氧化铬Cr↓[2]O↓[3],补偿掺杂剂氧化铬Cr↓[2]O↓[3]剂量为Ga和As量的x...
一种用于锂离子电池负极材料尖晶石钛酸锂的制造方法技术
一种用于锂离子电池负极材料尖晶石钛酸锂的制备方法,将偏钛酸、锂的化合物按照原子比Li/Ti=0.8~0.88进行配料,再加入碳或者碳的前躯体,在介质中均匀混合5~72小时,然后干燥,再在200℃~500℃条件下处理2~20小时,然后在于...
高温/高功率镍氢电池正极活性材料及其制备方法和应用技术
一种高温/高功率镍氢电池正极活性材料及其制备方法和应用,该活性材料是由氢氧化钠、EDTA水溶液以及重稀土元素的混合盐溶液分别连续滴加到覆钴球镍的悬浊液中进行反应,再经固液分离制成;其中,Ni与所含有的重稀土元素总量(M)的摩尔比为(80...
一种稀土Ce掺杂钛铬钒锰固溶体储氢合金制造技术
本发明涉及一种高性能的稀土掺杂改性钛钒锰体心立方固溶体储氢合金,其化学式为Tix-Cry-Vz-Mnv-Ce↓[w],其中x+y+z+v=100,15≤z≤50,0.7≤x/y≤0.8,0≤v≤12,0.3≤w≤3.0,其具有室温储氢容...
一种锂离子电池用正极材料钴酸锂的制备方法技术
本发明提供了一种锂离子电池钴酸锂材料的制备方法。属于锂离子电池正极材料制备技术领域。其特征在于采用金属钴粉代替传统的钴的化合物作为原料,按一定比例加入锂的化合物,球磨,均匀混合后,分别在400℃~600℃,650℃~750℃温度下低温烧...
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