本发明提出一种等静压法直接制备确定形状高温超导平板靶坯的方法。本方法将模压和等静压技术相结合，具体步骤包括：向设定尺寸的模具中装填预压粉体、等静压压制、低温退火热处理和高温烧结热处理。其特点是靶材坯料压实均匀（密度可达４．８ｇ／ｃｍ３）...

本发明提供一株浸矿菌及闪锌矿精矿中生物提铟工艺，浸矿菌名称为Ｌｅｐｔｏｓｐｉｒｉｌｌｕｍ？ｆｅｒｒｏｏｘｉｄａｎｓ？Ｒｅｔｅｃｈ－ＳＰＬ－１，保藏登记号为ＣＣＴＣＣ？Ｎｏ：Ｍ２０８１６２，保藏日期２００８年１０月１７日，保藏单位中国国家...

本发明提供一株常温嗜酸浸矿菌及其浸出线路板中金属的两步浸出方法，常温嗜酸菌种名称为Ｔｈｉｏｂａｃｉｌｌｕｓ？ｆｅｒｒｏｏｘｉｄａｎｓ？Ｒｅｔｅｃｈ－ＸＩ，保藏登记号为ＣＣＴＣＣ？Ｎｏ：Ｍ２０７１５９，保藏日２００７年１０月１６日，保藏单...

本发明涉及一种金精矿氰化浸出工艺，它包括：（１）浮选回收的金精矿进行再磨及调浆；（２）将（１）中细磨后的精矿粉进行浓缩处理；（３）将（２）中浓缩处理后的矿浆送入超声波氰化浸出系统，浸出反应过程中控制矿浆的溶氧、［ＣＮ－］和ｐＨ值；（４）...

本发明涉及一种抗氧化焊粉的制备方法，包括：将焊粉放入含有５～２５ｗｔ％活性剂和２～２０ｗｔ％包覆剂的溶液中，在低于焊粉合金熔点３０～８０℃范围内，搅拌使焊粉悬浮在该溶液中１０～９０ｍｉｎ，然后经过滤、溶剂淋洗、真空干燥得到包覆焊粉。本发...

本发明涉及一种低品位铜铅锌复杂多金属硫化矿分离新工艺。该工艺采用重选－浮选联合流程对铜铅锌矿物进行分离，即先利用重选将铅回收，得到的铅精矿进一步提纯，再将重选尾矿利用浮选进行铜锌分离。本发明的优点是：利用本工艺可以基本实现三种矿物的分离...

本发明提供一种废镀锌板炼钢粉尘中锌的回收工艺。它包括：将炼钢粉尘在常温下稀酸浸出，将产生的浸渣在较高温度和较浓酸下进行浸出，浸出液进行氧化除铁工序，除铁后的滤液进行锌粉置换去除杂质金属工序，除杂质金属的滤液进行加热浓缩除钙；将得到的滤液...

一种环缝式电磁搅拌法制备半固态金属或合金浆料或坯料的方法，简称“环缝式电磁搅拌法”，将高于其液相线温度５～１００℃的液态金属或合金液浇入制浆室内侧壁和内部冷却控制器外壁之间形成的环形缝隙中。金属或合金液在电磁感应旋转搅拌器的作用下受到强...

本发明提供一种高温超导纳米复合薄膜的制备方法。首先配制前驱液，把Ｙ（ＣＨ３ＣＯＯ）３、Ｂａ（ＣＨ３ＣＯＯ）２和Ｃｕ（ＣＨ３ＣＯＯ）２按照１∶２∶３的摩尔比混合溶于２０－３０摩尔％三氟乙酸的水溶液中；搅拌均匀后蒸干溶剂得到凝胶；再加入甲醇...

本发明涉及一种储氢同位素合金材料，具体而言，涉及一种具有高温效抗氢诱发歧化反应的Ｚｒ－Ｃｏ－Ｍ储氢同位素合金，其由通式Ｚｒ１－ｘＭｘＣｏ表示，其中Ｍ＝Ｔｉ或Ｈｆ，０．１≤ｘ≤０．３，该合金的室温吸氢平衡压力低于０．１Ｐａ，０．１０ＭＰａ...

本发明提供一种高温超导薄膜的制备方法。首先配制前驱液，把Ｙ（ＣＨ３ＣＯＯ）３、ＲＥ（ＣＨ３ＣＯＯ）３、Ｂａ（ＣＨ３ＣＯＯ）２和Ｃｕ（ＣＨ３ＣＯＯ）２按照（Ｙ＋ＲＥ）∶Ｂａ∶Ｃｕ＝１∶２∶３（其中ＲＥ为Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｄｙ）的摩尔...

本发明公开了属于金属材料加工技术领域的一种低成本快速制备过共晶铝硅合金棒坯的方法。该方法具体工艺为：在惰性气体保护下对过共晶铝硅合金进行熔炼；在高温条件下采用复合变质精炼熔体；然后对熔体进行除气处理；最后采用电磁搅拌方法进行快速半连续铸...

本发明公开了属于合金粉末的制备技术领域的一种合金粉末及其制备方法。合金粉末的组分及各组分的重量百分含量为，钴：２５～９５％、铬：４～５５％、钼：１～１５％，以及碳：０～２％、硅：０～３％。制备方法为，称取原料，放进混料机中混料后放入烧结...

一种熔体硅液面位置的测量方法和装置，所述的方法是：在单晶炉内，由于面光源照射，使位于反射镜上方、安置在上炉盖上的石墨标记物在反射镜上有一倒影，通过ＣＣＤ扫描到标记物倒影座标，当反射镜位置上升时，即：坩埚上升，其相应倒影坐标改变，以可编程...

一种测量坩埚中硅熔体水平面相对高度（指相对于热屏下缘的高度）的方法，方法包括以下步骤：将ＣＣＤ摄像机安装在硅单晶炉上炉体的观测窗口上，观测单晶炉内热屏下缘和热屏在熔体上的倒影；图像处理系统对ＣＣＤ拍摄到的图像进行扫描，计算得到热屏在熔体...

一种用于新一代集成电路场效应管中高介电常数（高ｋ）栅介质的材料及其制备方法。该用于高介电常数栅介质的外延薄膜材料，是在Ｓｉ（００１）衬底上单一高取向外延薄膜，该薄膜为具有焦绿石相结构的单晶态铪镧复合氧化物Ｌａ２Ｈｆ２Ｏ７，该薄膜与Ｓｉ（...

本发明涉及一种抗电子辐射屏蔽材料及其制备方法，所述抗电子屏蔽材料包括Ｍｏ或Ｗ作为高Ｚ金属相，其量为１５－３５ｖｏｌ．％；ＡｌＮ为低Ｚ介质相，其量为８５－６５ｖｏｌ．％。本发明的抗电子辐射屏蔽材料是具有高的屏蔽效率、高导热率、绝缘的高能电...

本发明涉及一种难熔合金钨钛靶材及其制备方法，具体为一种高纯高富钨相含量的钨钛靶材及其热压制备方法，属于难熔合金靶材技术领域。该方法是以高纯Ｗ粉，Ｔｉ粉以及高纯Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｎｂ等添加金属粉为原料，采用高温高压的热压成型工艺制备高致密...

本发明公开了一种微合金化硅铝合金材料及其制备方法，通过在５０～８０ｗｔ％Ｓｉ－Ａｌ合金中加入微量Ｍｇ，同时加入一定量的Ｍｎ；或在添加Ｍｇ的同时，添加Ｍｎ和微量Ｚｒ。按合金成分配料，将原料熔化，浇铸成合金预制锭。然后采用高真空高温喷射成形...

本发明涉及了一种减少硅衬底材料化学机械抛光表面液蚀坑产生的抛光方法，它采用三步抛光法：粗抛光：采用溶质为粒径在４５～８０纳米的ＳｉＯ２颗粒、溶剂为ＫＯＨ的成品抛光液，该成品抛光液与去离子水的体积比配比为１∶１０～３５，温度控制在１１～４...