本发明提供一种碳化硅单晶片及其制备方法、碳化硅晶体及其制备方法、半导体器件，所述碳化硅单晶片表面为其法线方向与c向夹角为0度

本发明公开了一种高质量SiC单晶片，包括：所述SiC单晶片具有直径不小于100mm的单一晶型；所述SiC单晶片从室温升温到1450℃以上，翘曲度值小于100μm，弯曲度绝对值小于60μm。本发明还提供了一种高质量SiC单晶片的制备方法。...

本发明提供了一种电阻率均匀的半绝缘型碳化硅晶片及其制备方法，所述半绝缘型碳化硅晶片的整体范围内，电阻率的相对标准偏差小于70％，电阻率的最小值大于1

本申请公开了一种位错检测系统，所述位错检测系统采用对焦模块按照预设路径向待测样品出射探测光线，并接收所述待测样品反射的所述探测光线，并根据接收的所述探测光线形成探测图像，然后利用数据处理模块基于图像处理技术对所述待测图像进行自动识别，以...

本发明公开了一种生长高质量SiC晶体的籽晶处理方法。该方法包括：将粘结在石墨托上的SiC籽晶放在坩埚上并置于高温炉中，在Ar保护气氛中充入一定量H2后升温到1750~1900℃，利用高温下H2可以与SiC和碳化的粘接剂发生反应，既去除了...