本实用新型公开了一种套筒，包括外筒和内筒，所述的外筒为中空圆柱形一体结构，顶部开放用于置入内筒，底部设置有承载底壁，用于承载内筒，所述承载底壁上留有底壁开口部，用于供穿刺针穿刺及侧向移动，所述外筒的侧壁上设置有沿外筒的圆柱体纵轴延伸的侧...

本发明提出了含有柔性电极的视网膜或脉络膜电转基因刺激器及其应用，所述柔性电极包括柔性衬底，所述柔性衬底具有凹部，所述柔性衬底的至少所述凹部内壁上形成有金属电极层。利用本发明的柔性电极可以简便、高效地将基因导入视网膜或脉络膜的特定部位，可...

本发明涉及一种闭环式血流控制系统及其控制方法。该系统包括：分体式设计的影像导航设备和机器人设备；所述机器人设备包括血管封堵装置，根据所述影像导航设备的指令来控制血管封堵装置的操作，以控制所要封堵的血管的血流状态；所述影像导航设备用于实时...

本发明公开了肝脏SIRT5蛋白在制备预防和治疗急性心肌梗死的产品中的应用。实验证明，与C57BL/6小鼠相比，肝脏特异过表达SIRT5蛋白的C57BL/6小鼠的心肌梗死面积和心肌纤维化面积均显著减少，心脏功能有一定程度的提高。由此可见，...

提供了一种器械清洗装置。该器械清洗装置包括清洗槽和防护门，防护门设置于清洗槽的槽口且包括能够相对移动的第一面板和第二面板。在第一面板和第二面板错开布置的情况下防护门封闭清洗槽，在第一面板和第二面板重叠布置的情况下清洗槽的槽口的一部分开放...

本实用新型公开了一种超声辅助穿刺架，包括超声探头固定圈、滑轨、带阻尼的铰链、套筒固定部和套筒，所述滑轨的一端固定设置在所述超声探头固定圈的一侧；所述的带阻尼的铰链设置在所述滑轨的另一端；所述的套筒固定部安装在所述的带阻尼的铰链上；所述的...

本实用新型公开了一种用于检测光纤周围温度的体外肾模型，本实用新型涉及医疗技术领域。该用于检测光纤周围温度的体外肾模型，通过将软性输尿管镜以及光纤插入空心柱体内部，然后将软性输尿管镜的端部插入橡胶套管内部，通过泵体的开启，将灌注液箱内部的...

本申请涉及一种双核MRI的图像增强超构表面器件，具体为双核磁场增强装置及磁共振系统，所述双核磁场增强装置包括第一筒形磁场增强器与第二筒形磁场增强器。所述第一筒形磁场增强器包围形成第一容纳空间。所述第一筒形磁场增强器用于增强检测部位的氢质...

本申请涉及一种曲面磁场增强器件。磁场增强组件包括柔性支撑体、多个磁场增强组件、第一导电片和第二导电片。柔性支撑体能够弯折为曲面。多个磁场增强组件平行间隔设置于柔性支撑体。每个磁场增强组件包括第一电连接端和第二电连接端。第一电连接端和第二...

本申请涉及一种磁场增强器件。磁场增强器件包括两个平行设置的第一平板组件。第一平板组件包括在第一平面内平行间隔排布的多个磁场增强组件、第一导电片和第二导电片。每个磁场增强组件包括第一电连接端和第二电连接端。第一电连接端和第二电连接端之间连...

本申请涉及一种磁场增强组件以及磁场增强器件。磁场增强组件包括第一电介质层，具有相对设置的第一表面与第二表面。第一电极层设置于第一表面，靠近第二端设置。第二电极层设置于第二表面，靠近第一端设置。第一电极层在第一电介质层的正投影与第二电极层...

本申请涉及一种相位可控MRI图像增强超构表面器件，具体为一种磁场增强器件。筒形支撑结构包围形成一个检测空间。筒形支撑结构具有两个间隔相对的第三端和第四端。多个磁场增强组件间隔设置于筒形支撑结构，并沿着第三端向第四端延伸。第一环形导电片设...

本申请涉及基于二极管的非线性响应MRI图像增强超构表面器件，具体为磁场增强组件和磁场增强器件，磁场增强组件包括第一电介质层、第一电极层、第二电极层、第四电极层和第一开关控制电路。第一电介质层包括相对的第一表面和第二表面。第一电极层设置于...

本申请涉及一种磁场增强组件和磁场增强器件，在射频发射阶段，由于所述第二结构电容上的压差较大，所述第二开关控制电路导通。所述第二外接电容被短路。只有所述第三外接电容连接在所述第一电极层和所述第二电极层之间。通过设置合适的所述第三外接电容可...

本申请涉及一种磁场增强组件以及磁场增强器件。所述磁场增强组件包括第一电介质层、第一电极层、第二电极层以及第四控制电路。所述第一电介质层具有第一表面。所述第一电介质层具有相对设置的第一端与第二端。所述第一电极层设置于所述第一表面，且靠近所...

本申请涉及一种磁场增强组件及磁场增强器件。磁场增强组件包括第一电介质层、第一电极层、第二电极层和第三电极层。第一电介质层包括相对的第一表面和第二表面。第一电极层设置于第一表面。第一电极层包括第一子电极层、第二子电极层和连接于第一子电极层...

本申请涉及一种磁场增强装置。第一电极层设置于第一表面。第二电极层设置于所述第一表面，并位于第一电容区，第二电极层与第一电极层位于所述第一电容区的部分间隔设置。第三电极层设置于第一表面，并位于第二电容区，第三电极层与第一电极层位于第二电容...

本申请涉及一种磁场增强组件及磁场增强器件。所述磁场增强组件包括第一电介质层、第一电极层、第二电极层、第三电极层、第四电极层和第七控制电路。第一电极层和第二电极层设置于第一电介质层的第一表面。第三电极层和第四电极层设置于第一电介质层的第二...

本申请涉及一种磁场增强组件和磁场增强器件。磁场增强组件包括第一电介质层、第一电极层、第二电极层和第三谐振电路。第一电介质层包括相对间隔设置的第一表面和第二表面。第一电极层设置于第一表面。第一电极层覆盖部分第一表面。第二电极层设置于第一表...

本申请涉及一种磁场增强组件和磁场增强器件，所述第三开关控制电路用于在射频发射阶段导通，在射频接收阶段断开。在射频发射阶段，所述磁场增强组件所在回路的谐振频率偏离磁共振系统工作频率较远，因此通过设置合适的所述第五外接电容和所述第四外接电容...