本发明公开了一种消除晶圆翘曲的方法及复合衬底，该方法包括如下步骤：S1：选取一翘曲的晶圆(1)；S2：在所述晶圆(1)的背面沉积一层内部具有应力的应力补偿膜(2)，使得所述应力补偿膜(2)的内部应力与所述晶圆(1)的内部应力相互抵消，得...

本发明公开一种碳化硅的选择性氧化方法，包括如下步骤：S1：在碳化硅基片(1)上淀积一掩膜层(2)，然后通过光刻对掩膜层(2)进行图形化处理，使得碳化硅基片(1)表面的第一待氧化区域裸露，其第二待氧化区域被掩膜层(2)覆盖；S2：通过离子...

本发明公开一种在碳化硅基片上快速生长氧化层的方法，该方法包括如下步骤：S1：在SiC基片(1)上选取待生长氧化层的区域；S2：通过离子注入的方式对所述待生长氧化层的区域注入氧离子(2)，形成氧离子注入层(3)；S3：将形成所述氧离子注入...

本发明公开一种SiC基UMOSFET的制备方法及SiC基UMOSFET，包括：一外延片，包括一N+型4H‑SiC衬底，以及在N+型4H‑SiC衬底的正面同质生长的一N‑型外延层；一P掺杂层，形成于N‑型外延层的上表面；一N+型离子注入层...