本实用新型涉及一种沟槽式碳化硅MPS二极管结构，其在外延层上形成沟槽，并在沟槽内设置多晶SiC层，并通过多晶SiC层形成P型网格和P型防护结，由于多晶SiC层为多晶体结构，其在形成P型网格和P型防护结时不需同时施加高压和高温，因此，不会...

本实用新型涉及一种碳化硅MPS二极管结构，其在外延层上方设置多晶SiC层，并通过多晶SiC层形成P型网格和P型防护结，由于多晶SiC层为多晶体结构，其在形成P型网格和P型防护结时不需同时施加高压和高温，因此，不会破坏外延层以及P型体的晶...

本实用新型涉及一种固体物质的移动加热装置，包括自上而下依次连接的预热填料槽、投料阀和螺旋加热器；所述预热填料槽由固体导电材料制成，其上下两端分别连接第一交流电源的两极；所述螺旋加热器包括圆管以及螺旋体，所述螺旋体由固体导电材料制成，其上...

本发明涉及一种氮化钽覆膜钢材料的制备装置，其包括反应室、感应加热系统、集液槽以及抽气注气系统；反应室包括反应槽、盖盘、第一盖帽和第二盖帽，反应槽由绝缘材料制成；盖盘盖住反应槽并密封连接，盖盘上设有一大圆孔；第一盖帽和第二盖帽不同时使用，...

本发明涉及前驱体涂布气体保护激光制备氮化钽膜装置及方法，装置包括底座、喷笔和激光镜头模块，所述的喷笔和激光镜头模块设置在底座上。本发明通过激光镜头模块对基础材料表面进行照射使之表面温度升高，喷笔中通过高压载体气体将液态的有机铵钽雾化并预...