本发明提供了一种制作VCSEL的方法及VCSEL，方法包括：在衬底上依次外延生长缓冲层、电极下接触层、镓砷层、光限制层以及电光限制层；对电光限制层和光限制层进行光刻以形成通光圆孔；在电光限制层表面，依次外延生长空穴载流子势垒区、量子阱有...

本发明提供了一种垂直腔面发射激光器，包括：衬底、在衬底的正面依次外延生长的缓冲层、第一分布式布拉格反射镜、谐振腔、电绝缘介质掩膜层、p型电极、第二分布式布拉格反射镜；以及，在衬底的背面生长的电极；谐振腔包括：位于第一分布式布拉格反射镜上...

本申请提供一种制作VCSEL的方法及VCSEL。包括：在衬底上表面外延生长缓冲层；在缓冲层上外延生长第一DBR；在第一DBR上外延生长第一限制层；在第一限制层上外延生长量子阱有源层；在量子阱有源层上外延生长第二限制层；在第二限制层上外延...