一种合成氨的方法，步骤如下： （一）在防止氧化和氮化的反应气氛中，将块体或粉体的稀土金属或稀土合金加热到氢化温度以上； （二）向反应器中通入氢气，使稀土金属或稀土合金吸收氢气； （三）向反应器中通入氧气和氮气的混合气体...

本发明公开了一种半导体型单壁碳纳米管及其制备方法，属于碳纳米管技术领域。本发明单壁碳纳米管的管壁上的碳原子部分被掺杂原子取代，所述掺杂原子包括氮原子、硼原子、氧原子或硫原子。其制备方法包括在反应温度下，在惰性环境中，在位于基底上的催化剂...

本发明公开了一种碳纳米管和金属纳米颗粒复合物及其合成方法，属于碳纳米管技术领域。本发明碳纳米管和金属纳米颗粒复合物具有如下特点：金属纳米颗粒分散于碳纳米管表面，碳纳米管未经表面氧化处理，且金属纳米颗粒分散均匀，其单分散系数小于２０％。本...

本发明公开了一种石墨烯的制备方法，属于化学合成技术领域。本发明方法以金属钠和卤代烃为原料，通过在惰性环境下在溶剂中进行反应制备石墨烯。反应温度优选在１２０－４００℃之间，更优选为１６０－３６０℃之间；金属钠和卤代烃的摩尔比优选在１∶１－...

本发明涉及一种发生氧气的装置和其中所用催化剂及其制备方法。本发明装置的主要组成部分包括：可产生氧气的物质的贮存器和上述物质与催化剂接触产生氧的反应室，以及氧气的纯化过滤装置等。可产生氧的物质为过氧化氢水溶液。过度金属氧化物负载在载体上作...

本发明涉及一种供氧装置及其氧源的制法，本发明装置包括：反应器、可产生氧气的固态物质、催化剂、氧化净化器、洗涤氧气的液体及其容器。将可产生氧气的物质和催化剂在反应器中混合即可产生氧气，其纯度符合卫生标准。本装置结构简单轻便，可随身携带。特...

本发明涉及一种制备单层碳纳米管的方法。该方法是一种可以大量、高产率地合成单层碳纳米管的方法。本发明的方法以稀土金属与镍的合金为催化剂或者以碱土金属的碳化物与镍的混合物为催化剂，将之与石墨混合制成石墨棒，以之为阳极。在低电流和高氦气压的条...

本发明涉及一种直接从含富勒烯金属包合物烟炱中还原分离富勒烯金属包合物的方法。通过调节溶剂的极性，将还原电位高的空心富勒烯和富勒烯金属包合物与还原电位低的空心富勒烯和富勒烯金属包合物分离。不必经过ＨＰＬＣ分离，就可以得到大量的富勒烯金属包...

本发明公开了一种合成单壁碳纳米管的方法，是在反应器中，在含过渡金属或其合金粒子的催化剂作用下，含碳原料气经高温催化分解，所述含碳原料气中加入占其体积０．０１～３％的水气。本发明的技术方案，由于在含碳原料气加入了水气，可防止无定型碳和多壁...

本发明提供了一种控制碳纳米管取向排列、分布及密度的方法，属于碳纳米管加工技术领域。其步骤包括：按照碳纳米管取向排列要求，制备电极，碳纳米管分散于有机溶剂中，并控制碳纳米管的浓度，将含有碳纳米管的溶液滴于预制有电极的硅衬底上，电极间施加交...

本发明提供一种制备碳纳米管交叉阵列的方法，属于碳纳米管的加工技术领域。该方法包括：将基片浸于碳纳米管溶液，碳纳米管可与基片表面或基片表面的分子吸附，待提拉基片，碳纳米管在液／固（溶液与基片）界面处，将同时受多种力作用，基片被提拉出液面时...

本发明公开了异径单壁碳纳米管的制备方法。本发明方法，包括如下步骤：１）将固定有催化剂的基片放入化学气相沉积系统的石英管中并使带有催化剂的一端正对着气流方向；将催化剂在Ａｒ／Ｈ↓［２］气氛中加热到８５０℃－１０００℃；２）通过Ａｒ载带乙醇...

本发明公开了一种氢化镁纳米颗粒材料及其制备方法和用途。采用电弧加热的方法制备纳米级镁粉，再氢化得到粒径为５０～６００ｎｍ的ＭｇＨ↓［２］颗粒产品。本发明的纳米级ＭｇＨ↓［２］颗粒纯度高，在用作储氢材料时具有十分优良的吸放氢动力学性质，因...

本发明提供一种对成本低、有广泛应用前景的锰矿山矿产品进行深加工，从而获得锰钾矿型八面体分子筛产品的方法：利用锰矿山现有粗产品ＭｎＳＯ↓［４］.Ｈ↓［２］Ｏ与过量的ＫＯＨ碱液曝气搅拌反应后，过滤、洗涤并干燥，然后５００℃～８００℃煅烧１小...

本发明的目的在于提供一种金属性和半导体性单壁碳纳米管的同步分离与组装方法，该金属性和半导体性单壁碳纳米管的同步分离与组装方法包括如下步骤：通过常规光刻在含二氧化硅的衬底上制备金电极的步骤；利用聚焦离子束在电极上刻出若干个间隙的步骤；将上...

本发明提供一种控制转移单壁碳纳米管阵列结构的方法，属于纳米结构制备和加工技术领域。该方法包括：（１）在生长基底上制备单壁碳纳米管阵列结构；（２）在其制有单壁碳纳米管阵列结构的生长基底表面旋涂一层聚酯溶液，置于烘箱中烘烤除去溶剂，形成聚酯...

本发明的目的在于提供一种单壁碳纳米管的表面组装方法，一种单壁碳纳米管的表面组装方法，包括：将单壁碳纳米管长管样品加入到浓硫酸和浓硝酸混酸液中对单壁碳纳米管进行处理的步骤，通过该步骤的处理对单壁碳纳米管进行裁剪与羧基功能化；自组装步骤，在...

本发明公开了一种生长半导体性单壁碳纳米管的方法。本发明所提高的生长半导体性单壁碳纳米管的方法，包括如下步骤：１）在基底上放置催化剂；２）将所述基底放置于两个电极板之间，在化学气相沉积系统中采用化学气相沉积方法在所述基底上生长得到半导体性...

本发明公开了去除单壁碳纳米管中金属性单壁碳纳米管制备半导体性单壁碳纳米管的方法，是将所述单壁碳纳米管置于一定强度的光下照射，即去除金属性单壁碳纳米管，得到所述半导体性单壁碳纳米管，其中，照射到碳纳米管样品表面、波长范围在１８０ｎｍ～１１...

本发明公开了一种合成薄壁碳纳米管的方法，是在催化剂的作用下，将含有含碳原料气的反应气在７００－１１５０℃的温度下催化分解，得到所述薄壁碳纳米管；其中，所述反应气还含有水气和／或乙醇气；所述反应气中，水气的分压为１１７－１６３８Ｐａ，乙醇...