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北京大学专利技术
北京大学共有15388项专利
一种高焓值的相变纤维及其制备方法和应用技术
本发明涉及相变纤维技术领域,提供一种高焓值的相变纤维及其制备方法和应用,所述相变纤维包括封装在SEBS和HDPE构建的互穿网络结构骨架中的高级脂肪烃类相变材料。本发明通过SEBS和HDPE构建互穿网络结构骨架对相变小分子进行限域封装定形...
一种基于硅基填埋扇出封装的双面器件及制备方法技术
本申请提供一种基于硅基填埋扇出封装的双面器件及制备方法,涉及电子制造领域,包括功能区,以及设置在功能区至少一侧的连接区,双面器件包括:晶圆基底,晶圆基底在功能区内设置填埋槽;芯片,芯片设置在填埋槽内,芯片包括相对设置的第一表面和第二表面...
具有双栅结构的p-GaN栅极氮化镓高电子迁移率晶体管制造技术
本申请实施例提供一种具有双栅结构的p‑GaN栅极氮化镓高电子迁移率晶体管,其包括:异质结构层,包括沟道层及与沟道层形成电子气沟道的势垒层,势垒层具有间隔设置的第一栅区和第二栅区;源极和漏极,经电子气沟道电气连接;p‑GaN栅极,设于第一...
蛋白质锚定方法、注射药物及其用途技术
本公开涉及一种蛋白质锚定方法、注射药物及其用途,其中的锚定方法具体包括,第一步将1,2,4,5‑四嗪化合物或1,2,4,5‑四嗪化合物的盐、溶剂合物或前药与基质蛋白结合,第二步加入反式环辛烯修饰的外源蛋白质,发生生物正交反应,实现外源蛋...
一种垂直沟道氧化物半导体场效应晶体管及制备方法技术
本发明公开了一种垂直沟道氧化物半导体场效应晶体管及制备方法,属于信息材料与器件技术领域。本发明氧化物半导体场效应晶体管采用沟槽状的氧化物半导体沟道层,在沟槽内再填充氧化物半导体材料,氧化物半导体填充层材料的氧空位浓度比氧化物半导体沟道层...
烯基偕二硼酯的提纯方法及应用以及可光降解烯类聚合物技术
本发明公开了烯基偕二硼酯的提纯方法及应用以及可光降解烯类聚合物,涉及高分子材料应用领域。本发明采用水解和保护的方式提纯烯基偕二硼酯。本发明将烯基偕二硼酯作为共聚单体与烯类单体进行自由基共聚,使聚合产物的主链中带上偕二硼结构;将所得的聚合...
一种基于深度均衡模型的求解分子系统稳态方法技术方案
本发明公开了一种基于深度均衡模型的求解分子系统稳态方法,包括:构建数据集,所述数据集中的数据为初始构象‑稳态构象的配对数据;将数据集中的数据划分为训练样本和测试样本;对训练样本先进行时间采样,而后按照布朗桥的路径概率进行采样,得到预处理...
非天然氨基酸、其对应氨酰tRNA合成酶及其所构蛋白ROS响应调控体系制造技术
本发明涉及生物技术领域,尤其涉及非天然氨基酸、其对应氨酰tRNA合成酶及其所构蛋白ROS响应调控体系。本发明式I结构的非天然氨基酸可响应活性氧,作为基因密码子扩展技术的重组氨酰tRNA合成酶底物,高效、定点的引入到蛋白的任意位点,具有通...
一种基于夏普利值引导数据混合的长尾骨架动作识别方法技术
本发明公开了一种基于夏普利值引导数据混合的长尾骨架动作识别方法,属于动作识别领域和长尾学习领域。本发明通过夏普利值计算人体骨架数据中不同关节部位的显著性,裁剪尾部类别的显著性运动区域,进行数据混合增强。本发明解决了长尾分布下骨架动作识别...
tRNA在促进mRNA的蛋白编码能力中的用途制造技术
本发明涉及tRNA在促进mRNA的蛋白编码能力中的用途,通过过表达tRNA提高目的蛋白的表达水平,所述tRNA对应的密码子能够促进或提高所述mRNA的稳定性。本发明还提供了一种新型的tRNA+mRNA免疫增强型疫苗,通过引入一种或多种t...
一种森林冠层高分遥感影像的双向反射率因子计算方法技术
本发明公开了一种森林冠层高分遥感影像的双向反射率因子计算方法,其步骤包括:1)确定遥感影像以及对应的冠层高度模型信息,观测几何参数及天空散射光比例;收集森林冠层结构参数和森林的光谱参数;2)计算只考虑目标像元内部发生的一次散射双向反射率...
一种大功率气态相干放大超稳激光器及其实现方法技术
本发明公开了一种大功率气态相干放大超稳激光器及其实现方法,本发明激光器包括控制电源、激光二极管、聚焦准直透镜、起偏器、原子气室、加热片、永磁铁、检偏器、腔镜、两套泵浦激光器、相干放大原子气室、偏振分光棱镜;其中激光二极管、聚焦准直透镜、...
一种双极化智能超表面尺寸设计方法及装置制造方法及图纸
本申请提供一种双极化智能超表面尺寸设计方法及装置。方法包括:基于仿真软件建立智能超表面辅助下的双极化系统模型和单极化系统模型;获取并根据所述双极化系统的系统参数以及最优相位设计推导出所述双极化系统的频谱效率表达式;获取并根据所述单极化系...
一种LAMTOR1抑制剂在制备抗肿瘤药物增敏剂中的应用制造技术
本发明涉及一种LAMTOR1抑制剂在制备抗肿瘤药物增敏剂中的应用。具体的,本发明首次发现了LAMTOR1是cGAS的结合蛋白,LAMTOR1通过下调cGAS的蛋白水平来抑制cGAS信号通路的激活以及IFN‑β的产生。LAMTOR1的缺失...
2-硼酯-降冰片烯及应用以及主链含有烯基硼酯的聚合物制造技术
本发明公开了2‑硼酯‑降冰片烯及应用以及主链含有烯基硼酯的聚合物,涉及高分子材料应用领域。2‑硼酯‑降冰片烯作为开环易位聚合单体,在Grubbs类型催化剂的催化下进行自聚或与其他共聚单体共聚,得到主链含有烯基硼酯的聚合物,丰富开环易位聚...
一种实时三维光声多模态成像系统及其成像方法技术方案
本发明公开了一种实时三维光声多模态成像系统及其成像方法。本发明通过引入基于壳体呈部分球形的二维面阵超声探测器阵列系统,实现了实时三维光声和超声成像,显著提高了成像速率,有效减少了运动伪影的干扰;支持正置和倒置两种成像模式,增强了其适应不...
一种基于OBE理念的课程目标评价报告生成系统技术方案
本发明涉及教学系统技术领域,提供一种基于OBE理念的课程目标评价报告生成系统,包括课程评建模块,课程评建模块接收生成报告指令,确定生成报告指令对应的课程目标;根据课程目标,获取与课程目标具有映射关系的毕业要求、指标点;以及获取与课程目标...
一种镧掺杂的氧化物半导体晶体管的制备方法技术
本发明公开了一种镧掺杂的氧化物半导体晶体管的制备方法,属于氧化物半导体技术领域。本发明氧化物半导体场效应晶体管的沟道层为镧元素掺杂的氧化铟薄膜,该沟道层采用原子层沉积(ALD)方法,原子层沉积温度控制在100℃~400℃范围内,每进行n...
一种基于亚微米硅通孔的三维集成方法和三维集成结构技术
本申请提供一种基于亚微米硅通孔的三维集成方法和三维集成结构,涉及半导体技术领域,包括:对第一晶圆的第一表面进行处理,得到处理后第一晶圆,处理后第一晶圆的第一表面上为键合层级结构,键合层级结构包括:第一支撑层,和,嵌入第一支撑层的多个金属...
吸烟强度确定方法、装置、电子设备及非易失性存储介质制造方法及图纸
本申请公开了一种吸烟强度确定方法、装置、电子设备及非易失性存储介质。其中,该方法包括:获取待检测对象的目标脱氧核糖核酸的信息,其中,目标脱氧核糖核酸包括:细胞核脱氧核糖核酸和线粒体脱氧核糖核酸;确定目标脱氧核糖核酸中目标基因点位的甲基化...
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