本发明提供一种接触纳米结构表面的方法。在此方法中，提供在表面上具有纳米结构材料的基片，基片为导电性，并且纳米结构材料用绝缘材料涂覆。至少部分去除纳米结构材料的一部分。以使得导体通过已至少部分去除纳米结构材料的区域与基片电接触的方式，在基...

提供了一种光伏器件。其包括至少两个电接触部、ｐ型掺杂剂和ｎ型掺杂剂。其还包括体区和与体区接触的对准阵列中的纳米线。阵列中的所有纳米线具有一个支配类型的掺杂剂，即ｎ或ｐ，并且至少一部分体区也包括该支配类型的掺杂剂。体区的包括支配类型的掺杂...

提供了一种蚀刻含硅基底来形成纳米线阵列的方法。在该方法中，以这样的方式来将纳米粒子和金属膜沉积到基底上，即，该金属在期望蚀刻之处存在和与硅接触，并且在其他地方被阻止与硅接触或者不存在。将该金属化基底浸入到含有ＨＦ和氧化剂的蚀刻剂水溶液中...

本发明提供了一种纳米结构光电子器件，其包括纳米结构材料和与纳米结构材料混合的主体材料。该主体材料可以具有比纳米结构材料高的折射率。可以将主体材料折射率选择为使器件的有效活性面积最大化。在替换实施例中，主体材料包括吸收光并以不同的能量重发...