一种底切多层衍射结构的度量方法，其中使用基于辐射的工具得到的衍射信号分析，其特征在于模拟衍射信号基于底切多层结构模型产生。在一种方法中，采用与库比较方法。在另一种方法中，采用回归分析方法。在模型中可以改变底切参数，包括临界尺寸和材料系数。

一种修剪特征和相应的已知结构参数向量的参考库的方法，每个特征包括参考信号向量，该方法包括：对于给定的参考信号向量，对假设将给定的参考信号向量和与其相对应的参数向量从参考库中删除的参数向量进行插值；若对应的参数向量和插值参数向量间的插值误...

通过对散射模型进行截面分析确定平版印刷设备和应用参数的方法，包括确定平版印刷设备和应用的聚焦中心。控制方法利用截面分析来实现平版印刷设备聚焦中心的过程控制。

对光刻工具进行焦点中心的判断及过程控制的方法。从位于多个不同焦点设置场域内的多个衍射结构获得衍射特征。通过直接分析或与数据库对比来确定各场域的衍射特征的可变性。可变性或均匀性可由任何测量值表示，包括理论衍射结构的数据库的被选择特征的标准...

一种利用由可变照射（３０）或观测数值孔径（４０）或二者产生的入射角的测量结果，用于样品微分数值孔径分析的方法和装置。本发明提供了一种计量学的应用，特别是包括散射仪、椭圆仪及类似的分析方法，包括双向反射或透射分布函数的测量。本发明提供的装...

本发明提供一种测量特征，如衍射光栅线的不对称的方法。在实施过程中提供一种通过将光直射在微电子器件的微电子特征阵列上测量微电子器件中不对称的方法。所述光照射包含许多微电子特征的整个长度和宽度的阵列的一部分。检测从阵列后向散射的光。通过检查...

本发明提供通过利用多个衍射光栅（２０）进行衍射特征差值分析而在光刻晶片（１０）中进行判断的方法。

一种用于测量微电子器件中的线路轮廓不对称的方法和设备，包括：将光直射向微电子器件的微电子部件阵列；检测从包括从一个或多个反射角和一个或多个波长所组成的组中选择的一个或多个部件的阵列散射回来的光；以及通过检查来自反射的余角的数据或进行模型...