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艾纳尔杰纽斯公司专利技术
艾纳尔杰纽斯公司共有3项专利
嵌入式后备能量存储单元制造技术
一种电器的后备能量单元,该电器件具有电源和工作负载并包括分层的具有上外表面和下外表面的诸如集成电路芯片和分层的电路板一类的电器件。这种能量单元由至少一个能量存储单元组成。这种能量存储器件由介电材料以及第一和第二电存储导电层组成。介电材料...
金属箔上的锆钛酸铅介电薄膜复合材料制造技术
在金属箔上结晶介电的锆钛酸铅薄膜复合材料显示了优异的电容器性能,包括高介电常数、低介电损耗(损耗角正切值<5%)及低泄漏电流。锆钛酸铅具有式PbZr#-[x]Ti#-[y]O#-[z],x和y独立地为约0.35~约0.65,z为约2.5...
制造镀镍的铜基片的方法以及含有此基片的薄膜复合材料技术
本发明涉及一种通过对镀镍的铜进行退火来制造铜/镍基片的方法。在镀镍步骤之后,可以用本领域公知的方法比如溶胶-凝胶或真空淀积方法在基片上淀积一电介质层比如锆钛酸铅(PZT)。本发明还涉及薄膜复合材料。这些复合材料含有经预退火的镀镍铜基片和...
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