本发明有关微电子学领域，可通过金属-有机化合物及氢化物之化学气相沉积产生III-V化合物半导体材料及II-VI化合物半导体材料的磊晶结构。申请专利范围是有关一种通过金属-有机化学气相沉积法（MOCVD）于单晶基材上产生二元半导体材料的磊...