艾宾姆材料公司专利技术

艾宾姆材料公司共有1项专利

  • 在IBAD织构化衬底上的外延六方材料
    包括六方外延层如GaN或其他第III族‑氮化物(III‑N)半导体、<111>取向的织构化层和非单晶衬底的多层结构,以及其制备方法。所述织构化层具有优选地通过离子束辅助沉积(IBAD)织构化工艺形成的晶体对齐,并且可以双轴对...
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