一种一键开关机电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种一键开关机电路，P沟道MOS管的源极连接电源输入端；P沟道MOS管的漏极连接电源输出端；P沟道MOS管的栅极连接三极管的集电极，三极管的发射极接地，三极管的基极通过第一电阻连接控制模块的信号输出端；按键开关的第一端接地，按键开关的第二端连接第一二极管的负极，第一二极管的正极连接控制模块的信号输入端，按键开关的第二端还连接第二二极管的负极，第二二极管的正极连接P沟道MOS管的栅极；P沟道MOS管的栅极与源极之间连接有第二电阻。本实用新型专利技术能够实现关机功耗为零、硬件一键开机的功能，同时还具有价格低廉、调试简单的优点，极大地降低了产品成本，结构简单，易于实现。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种一键开关机电路，其特征在于：包括P沟道MOS管、三极管、第一二极管、第二二极管和按键开关；P沟道MOS管的源极连接电源输入端；P沟道MOS管的漏极连接电源输出端；P沟道MOS管的栅极连接三极管的集电极，三极管的发射极接地，三极管的基极通过第一电阻连接控制模块的信号输出端；按键开关的第一端接地，按键开关的第二端连接第一二极管的负极，第一二极管的正极连接控制模块的信号输入端，按键开关的第二端还连接第二二极管的负极，第二二极管的正极连接P沟道MOS管的栅极；P沟道MOS管的栅极与源极之间连接有第二电阻。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郭中堂，宋书昂，尹志超，
申请(专利权)人：河南东陆高科实业有限公司，
类型：实用新型
国别省市：