一种开关电路制造技术

本发明专利技术公开了一种开关电路。该开关电路包括P型的第一MOS管（M1）和第二MOS管（M2），NPN型的第一双极型晶体管（N1）、第二双极型晶体管（N2）、第三双极型晶体管（N3）、第四双极型晶体管（N4）、第五双极型晶体管（N5和第六双极型晶体管（N6），参数相同的第一电阻（R1）、第二电阻（R2）、第三电阻（R3）和恒流源（JI）和电压源（JV）。本发明专利技术的有益效果是：该开关电路采用Bi-COMS结构，其电路结构简单，在集成电路中所占面积较小，开关特性好。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种开关电路，其特征在于，包括第一MOS管（M1）、第二MOS管（M2）、第一双极型晶体管（N1）、第二双极型晶体管（N2）、第三双极型晶体管（N3）、第四双极型晶体管（N4）、第五双极型晶体管（N5）、第六双极型晶体管（N6）、第一电阻（R1）、第二电阻（R2）、第三电阻（R3）、恒流源（JI）和电压源（JV）；所述恒流源（JI）串接与双极型正电压源（VCC）和第六双极型晶体管（N6）的集电极之间；第六双极型晶体管（N6）的源极通过第三电阻（R3）接地，基极分别与第三双极型晶体管（N3）的基极、第四双极型晶体管（N4）的基极和第五双极型晶体管（N5）的源极连接；第五双极型晶体管（N5）的集电极连接双极型正电压源（VCC），基极与第六双极型晶体管（N6）的集电极连接；第一MOS管（M1）的源极与MOS电压源（Vdd）连接，栅极与第一控制输入端（IK1）连接，漏极分别与第一双极型晶体管（N1）的源极和第三双极型晶体管（N3）的集电极连接；第二MOS管（M2）的源极与MOS电压源（Vdd）连接，栅极与第二控制输入端（IK2）连接，漏极分别与第二双极型晶体管（N2）的源极和第四双极型晶体管（N4）的集电极连接；电压源（JV）的负极端接地，正极端分别与第一双极型晶体管（N1）的基极和第二双极型晶体管（N2）的基极连接；第一双极型晶体管（N1）的集电极连接第一控制输出端（OK1）；第二双极型晶体管（N2）的集电极连接第二控制输出端（OK2）；第三双极型晶体管（N3）的源极通过第一电阻（R1）接地；第四双极型晶体管（N4）的源极通过第二电阻（R2）接地。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王晓娟，王纪云，吴勇，
申请(专利权)人：郑州单点科技软件有限公司，
类型：发明
国别省市：河南;41