本实用新型专利技术公开了一种电浆激发装置，适于通一射频后对一真空的反应腔体提供均匀的磁场，所述电浆激发装置包括多个线圈单元，所述的多个线圈单元沿一轴线间隔排列于所述反应腔体的一侧面，每一线圈单元包括一沿所述轴线的方向延伸并环绕的螺线圈，所述螺线圈形成多个平行于所述侧面的第一长边，所述多个第一长边相间隔且相互平行，所述螺线圈的两端通电以产生磁场。本实用新型专利技术的电浆激发装置能够提供均匀时变的交流磁场，从而提高制程的良率。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种电浆激发装置，适于通一射频后对一真空的反应腔体提供均匀的磁场，所述电浆激发装置包括多个线圈单元，所述的多个线圈单元沿一轴线间隔排列于所述反应腔体的一侧面，每一线圈单元包括一沿所述轴线的方向延伸并环绕的螺线圈，所述螺线圈形成多个平行于所述侧面的第一长边，所述多个第一长边相间隔且相互平行，所述螺线圈的两端通电以产生磁场。本技术的电浆激发装置能够提供均匀时变的交流磁场，从而提高制程的良率。【专利说明】电浆激发装置
本技术涉及一种激发装置，尤其涉及一种能够提供均匀时变的交流磁场的电浆激发装置。
技术介绍
随着电子技术的高速发展，电浆装置广泛地应用于半导体产业或微机电产业中。其中感应I禹合电衆装置(Inductively Coupled Plasma)被广泛应用于半导体的蚀刻中。在低压下，反应气体受激发后产生电离状态而形成电浆，电浆中含有大量的活性粒子，这些活性粒子能与材料表面发生反应呈挥发性的生成物，进而使材料表面的性能发生变化。参阅图1，为现有技术中的感应耦合电浆装置，所述感应耦合电浆装置包含一线圈11、一介电窗12、一反应腔体13。在半导体制程中，要被蚀刻的芯片至于反应腔体13内，反应腔体13内的气体经线圈11通电后激发电离形成电浆，生成的电浆用以蚀刻晶片表面的材质。气体产生电离型成电浆的射频功率是来自于线圈11。在线圈11上施加对应的射频电流,进而产生变化的磁场。现有技术中的线圈为平面螺旋结构，所产生的磁场不均匀，进而影响激发的电浆在反应腔体内分布不均，进而影响蚀刻的深度，而影响了制程的良率。以往晶片的尺寸较小，反应腔体内的电浆分布不均还可以靠扩散来弥补，但随着晶片的尺寸越来越大，仅依靠扩散已无法弥补磁场不均造成的影响。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种能够提供均匀时变的交流磁场的电浆激发装置。为实现上述目的，本技术提供一种电浆激发装置，适于通一射频后对一真空的反应腔体提供均匀的磁场，所述电浆激发装置包括多个线圈单元，所述的多个线圈单元沿一轴线间隔排列于所述反应腔体的一侧面，每一线圈单元包括一沿所述轴线的方向延伸并环绕的螺线圈，所述螺线圈形成多个平行于所述侧面的第一长边，所述多个第一长边相间隔且相互平行，所述螺线圈的两端通电以产生磁场。较佳地，每一螺线圈环绕而呈长方形，每一螺线圈还形成至少一与所述多个第一长边相间隔且远离所述侧面的第二长边，及多个分别连接于所述多个第一长边及所述第二长边间的短边。较佳地，每一螺线对应所述射频的频率而环绕所述轴线多圈，每一线圈单元还包括二分别设置在所述螺线圈两端的接头。较佳地，每一螺线圈绕所述轴线一圈半，每一线圈单元还包括二分别设置在所述螺线圈两端的接头。较佳地，还包括二分别卡合于多个螺线圈两相反侧以固定多个螺线圈的固定件。与现有技术相比，本技术的电浆激发装置利用模块化的线圈单元，即使所述电浆装置的尺寸增加，也能容易地对应改变线圈单元的数量，达到提供所述电浆装置均匀的交流磁场的功能，以提高制程的良率。通过以下的描述并结合附图，本技术将变得更加清晰，这些附图用于解释本技术的实施例。【专利附图】【附图说明】图1为一感应耦合电浆装置包含一现有技术中的线圈的立体分解图。图2为本技术电浆激发装置的立体分解图。图3为本技术电浆激发装置设置与一反应腔体下方的立体分解图。【具体实施方式】现在参考附图描述本技术的实施例，附图中类似的元件标号代表类似的元件。请参考图2，本技术电浆激发装置的较佳实施例包含四线圈单元2，及二固定件3。四线圈单元2沿一轴线20间隔排列，每一线圈单元2包括一沿轴线20的方向延伸并环绕的螺线圈21，及二接头22。每一螺线圈21绕轴线20 —圈半且呈长方形而具有二相间隔且相互平行的第一长边210、一第二长边211及四短边212，所述二第一长边210、第二长边211与所述等短边212交替连接。所述二接头22分别设置在螺线圈21两端。所述二接头22接上电源以产生磁场。值得一提的是，螺线圈21的圈数不以一圈半为限，螺线圈21的圈数可以为多圈，只要螺线圈21对应所使用的射频，能产均匀磁场皆属于本技术的范围。二固定件3分别卡合于四个螺线圈21的短边212上，用以固定四个螺线圈21。请参考图3，使用时，电浆激发装置设置于一反应腔体4下方，而轴线20是平行于反应腔体4的下表面，八个第一长边210邻进反应腔体4且平行于反应腔体4的下表面，在电浆激发装置与反应腔体4间设置一介电窗5。将四个螺线圈21通以射频后，四个螺线圈21产生的磁场能穿过介电窗5并均匀地进入反应腔体4内，提供反应腔体4内的电浆均匀的交流磁场，以控制电浆在反应腔体4内均匀分布。本较佳实施例中是以四个线圈单元2为例，但不以此为限，也可以对应反应腔体4的大小而为二个、三个，或五个以上。此外，本较佳实施例中的螺线圈21是绕成长方形，但不以此为限，亦可以为三角形或多边形，只要螺线圈21形成第一长边210且第一长边210平行于反应腔体4的下表面，皆属于本技术的范围。综上所述，通过四线圈单元2与二固定件3的组合，使得电浆激发装置能对应反应腔体4的大小做调整，进而达到提供反应腔体4均匀的交流磁场的功效，故能达成本技术的目的。以上结合最佳实施例对本技术进行了描述，但本技术并不局限于以上揭示的实施例，而应当涵盖各种根据本技术的本质进行的修改、等效组合。【权利要求】1.一种电浆激发装置，适于通一射频后对一真空的反应腔体提供均匀的磁场，所述电浆激发装置包括:多个线圈单元，所述的多个线圈单元沿一轴线间隔排列于所述反应腔体的一侧面，每一线圈单元包括一沿所述轴线的方向延伸并环绕的螺线圈，所述螺线圈形成多个平行于所述侧面的第一长边，所述多个第一长边相间隔且相互平行，所述螺线圈的两端通电以产生磁场。2.如权利要求1所述的电浆激发装置，其特征在于:每一螺线圈环绕而呈长方形，每一螺线圈还形成至少一与所述多个第一长边相间隔且远离所述侧面的第二长边，及多个分别连接于所述多个第一长边及所述第二长边间的短边。3.如权利要求1所述的电浆激发装置，其特征在于:每一螺线对应所述射频的频率而环绕所述轴线多圈，每一线圈单元还包括二分别设置在所述螺线圈两端的接头。4.如权利要求1所述的电浆激发装置，其特征在于:每一螺线圈绕所述轴线一圈半，每一线圈单元还包括二分别设置在所述螺线圈两端的接头。5.如权利要求1至4任一项所述的电浆激发装置，其特征在于:还包括二分别卡合于多个螺线圈两相反侧以固定多个螺线圈的固定件。【文档编号】H01J37/32GK203398085SQ201320357058【公开日】2014年1月15日 申请日期:2013年6月20日 优先权日:2013年1月22日 【专利技术者】陈庆安, 张宏隆, 胡肇汇 申请人:志圣工业股份有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种电浆激发装置，适于通一射频后对一真空的反应腔体提供均匀的磁场，所述电浆激发装置包括：多个线圈单元，所述的多个线圈单元沿一轴线间隔排列于所述反应腔体的一侧面，每一线圈单元包括一沿所述轴线的方向延伸并环绕的螺线圈，所述螺线圈形成多个平行于所述侧面的第一长边，所述多个第一长边相间隔且相互平行，所述螺线圈的两端通电以产生磁场。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈庆安，张宏隆，胡肇汇，
申请(专利权)人：志圣工业股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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