低噪声放大器制造技术

本实用新型专利技术提供一种低噪声放大器，包括一对叠接晶体管，其接收一射频信号以放大产生一输出信号且通过一电感器连接一调整节点，调整节点另连接一电阻器及一低压降稳压器，一供电电源经由电阻器供电以在调整节点上形成一工作电压，当供电电源不足而导致调整节点上的工作电压等于或小于低压降稳压器所接收的一参考电压时，低压降稳压器将输出供电电流至调整节点以拉升工作电压的电位，如此，本实用新型专利技术不仅可通过电阻器限制输出信号的电压振幅，避免叠接晶体管过载，且利用低压降稳压器协助供电，以提供足够的工作电压驱使低噪声放大器正常运作。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

low noise amplifier

The utility model provides a low noise amplifier, including a pair of overlapping transistors, which receives a radio frequency signal to generate an output signal and amplified by an inductor connected to a node node is connected with the adjustment, the adjustment of a resistor and a low dropout voltage regulator, a power supply by a working voltage formed by the resistor power supply to adjust the node in the when the power supply, and lead to a reference voltage voltage adjustment on the node is equal to or less than the low dropout regulator is received when the potential, low dropout voltage regulator output current to the power supply will adjust the node to move up the working voltage so that the voltage amplitude of the utility model can not only limit the output signal through the resistor, avoid overlapping the transistor overload, and use LDO assist power supply, to provide sufficient voltage driven low noise amplifier normal Run\u3002

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种低噪声放大器，其特征在于，包括：?一对叠接晶体管，包括：?一第一晶体管，其栅极端接收一射频信号，源极端接地；及?一第二晶体管，其栅极端接收一偏压，源极端连接第一晶体管的漏极端，漏极端产生一输出信号且通过一电感器连接至一调整节点，其中调整节点上形成有一工作电压；?一电阻器，连接于一供电电源与调整节点之间；及?一低压降稳压器，接收一参考电压，连接调整节点，当工作电压等于或小于参考电压时，低压降稳压器输出供电电流至调整节点以拉升工作电压的电位。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘宇华，
申请(专利权)人：络达科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：