一种BICMOS工艺中的寄生N-I-P型PIN器件结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种BICMOS工艺中的寄生N-I-P型PIN器件结构，包括：P型衬底、膺埋层、有源区、浅槽隔离、N型重掺杂区、接触孔和金属线；所述P型衬底上方形成有有源区，所述有源区上方形成有N型重掺杂区，所述膺埋层上方形成有浅槽隔离，所述有源区与膺埋层和浅槽隔离相邻，所述浅槽隔离与N型重掺杂区相邻，金属线通过接触孔自膺埋层和N型重掺杂区引出；所述有源区具有轻掺杂的N型杂质。本发明专利技术还公开了一种所述寄生N-I-P型PIN器件结构的制作方法。发明专利技术的寄生N-I-P型PIN器件结构及其制作方法能实现低插入损耗和高隔离度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种BICMOS工艺中的寄生N-1-P型PIN器件结构。本专利技术还涉及一种BICMOS工艺中的寄生N-1-P型PIN器件结构的制造方法。
技术介绍
常规的Bipolar (绝缘栅双极型晶体管)采用高掺杂的集电区埋层，以降低集电区电阻，采用高浓度高能量N型注入，连接集电区埋层，形成集电极引出端(collectorpick-up)。集电区埋层上外延中低掺杂的集电区，在P型掺杂的外延形成基区，然后重N型掺杂多晶娃构成发射极，最终完成bipolar的制作。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种BICMOS工艺中的寄生N-1-P型PIN器件结构能实现低插入损耗和高隔离度。为此，本专利技术还提供了一种一种BICMOS工艺中的寄生N-1-P型PIN器件结构的制作方法。为解决上述技术问题，本专利技术的寄生N-1-P型PIN器件结构，包括:P型衬底、膺埋层、有源区、浅槽隔离、N型重掺杂区、接触孔和金属线；所述P型衬底上方形成有源区，所述有源区上方形成有N型重掺杂区，所述膺埋层上方形成有浅槽隔离，所述有源区与膺埋层和浅槽隔离相邻，所述浅槽隔离与N型重掺杂区相邻，金属线通过接触孔自膺埋层和N型重掺杂区引出；所述有源区具有轻掺杂的N型杂质。其中，所述有源区具有轻掺杂的P型杂质。本专利技术的寄生N-1-P型PIN器件结构制作方法，包括:(I)在P型衬底上制作浅槽隔离；(2)在浅槽隔离底部进行P型杂质注入形成膺埋层；(3)掺杂注入形成有源区；(4)进行热退火；(5)在有源区上方生长多晶硅，进行N型重掺杂注入形成N型重掺杂区；(6)接触孔自膺埋层和N型重掺杂区引出连接金属线，在接触孔内填入钒或锡以及鹤。实施步骤⑵时，注入剂量为I14CnT2至l16cm_2，能量小于20keV。本专利技术的寄生N-1-P型PIN器件结构，采用TCAD (计算机辅助设计技术)模拟以SiGe HBT为例，基区外延掺杂是锗和硼的寄生PIN器件结果来看，在选取合适的PIN结构的(包括有源区宽度等)情况下，本专利技术的PIN器件的插入损耗在2dB以下，隔离度达到到30dB以上。本专利技术的寄生N-1-P型PIN器件结构及其制作方法能实现低插入损耗和高隔离度。附图说明下面结合附图与具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明:图1是本专利技术器件结构的示意图。图2是本专利技术制作方法的流程图。图3是本专利技术制作方法的示意图一，显示步骤(I)、⑵的内容。图4是本专利技术制作方法的示意图二，显示步骤(3)、(4)的内容。图5是本专利技术制作方法的示意图三，显示步骤(5)的内容。具体实施例方式如图1所示，本专利技术的寄生N-1-P型PIN器件结构，包括:P型衬底、膺埋层、有源区、浅槽隔离、N型重掺杂区、接触孔和金属线；所述P型衬底上方形成有源区，所述有源区上方形成有N型重掺杂区，所述膺埋层上方形成有浅槽隔离，所述有源区与膺埋层和浅槽隔离相邻，所述浅槽隔离与N型重掺杂区相邻，金属线通过接触孔自膺埋层和N型重掺杂区引出；所述有源区具有轻掺杂的N型杂质。如图2所示，本专利技术的寄生N-1-P型PIN器件结构制作方法，包括:(I)如图3所示，在P型衬底上制作浅槽隔离；(2)在浅槽隔离底部进行P型杂质注入形成膺埋层；(3)如图4所示，掺杂注入形成有源区；(4)进行热退火；(5)如图5所示，在有源区上方生长多晶硅，进行N型重掺杂注入形成N型重掺杂区；(6)接触孔自膺埋层和N型重掺杂区引出连接金属线，在接触孔内填入钒或锡以及钨，形成如图1所示器件。以上通过具体实施方式和实施例对本专利技术进行了详细的说明，但这些并非构成对本专利技术的限制。在不脱离本专利技术原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种BICMOS工艺中的寄生N?I?P型PIN器件结构，其特征是，包括：P型衬底、膺埋层、有源区、浅槽隔离、N型重掺杂区、接触孔和金属线；所述P型衬底上方形成有源区，所述有源区上方形成有N型重掺杂区，所述膺埋层上方形成有浅槽隔离，所述有源区与膺埋层和浅槽隔离相邻，所述浅槽隔离与N型重掺杂区相邻，金属线通过接触孔自膺埋层和N型重掺杂区引出；所述有源区具有轻掺杂的N型杂质。

【技术特征摘要】
1.一种BICMOS工艺中的寄生N-1-P型PIN器件结构，其特征是，包括:P型衬底、膺埋层、有源区、浅槽隔离、N型重掺杂区、接触孔和金属线；所述P型衬底上方形成有源区，所述有源区上方形成有N型重掺杂区，所述膺埋层上方形成有浅槽隔离，所述有源区与膺埋层和浅槽隔离相邻，所述浅槽隔离与N型重掺杂区相邻，金属线通过接触孔自膺埋层和N型重掺杂区引出；所述有源区具有轻掺杂的N型杂质。2.按权利要求1所述的PIN器件结构，其特征是:所述有源区具有轻掺杂的P型杂质。3.一种BICMOS工...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘冬华，钱文生，胡君，段文婷，石晶，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：