一种用于制作芯片的含氧化层的单晶硅片制造技术

本实用新型专利技术涉及一种用于制作芯片的含氧化层的单晶硅片，它包括：单晶硅片，单晶硅片两侧分别设有P+层、N+层的掺杂层，掺杂层的外侧包裹有氧化层，所述氧化层为二氧化硅层。所述单晶硅片为N型材料层、或为P型材料层，所述氧化层的厚度为1500～4500埃。本实用新型专利技术具有如下优点：本产品在单晶硅片扩散形成P+层或N+层的基础上通过氧化退火工艺形成结构致密的二氧化硅层氧化层的过程中，有效地减少硅片内部应力、减少碎片，为提高芯片的导电性能、降低碎片率、打下了坚实的基础。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种半导体器件，尤其是涉及一种用于制作芯片的含氧化层的单晶娃片O
技术介绍
现有技术中，制作芯片时经过高浓度扩散工艺后，在硅片内部不可避免造成硅片晶格的缺陷和应力，而硅片内部缺陷和内部成了影响其最终性能和良率的重要因素之一。一方面，这些缺陷会降低硅片的最终电性性能和良率，另一方面，这些应力会增加硅片破碎的几率、降低硅片的最终机械性能和良率。
技术实现思路
本技术的目的是针对现有技术不足之处而提供一种结构简单、单晶缺陷低、杂质少的、生产成本低的用于制作芯片的含氧化层的单晶硅片。本技术的目的是通过以下措施来实现一种用于制作芯片的含氧化层的单晶硅片，它包括单晶硅片，其特征在于，单晶硅片两侧分别设有P+层、N+层的掺杂层，掺杂层的外侧包裹有氧化层，所述氧化层为二氧化硅层。所述单晶硅片为N型材料层。所述单晶硅片为P型材料层。所述氧化层的厚度为1500 4500埃。与现有技术相比，采用了本技术提出的一种用于制作芯片的含氧化层的单晶硅片，具有如下优点本产品在单晶硅片扩散形成P+层或N+层的基础上通过氧化退火工艺形成结构致密的二氧化硅层氧化层的过程中，有效地减少硅片内部应力、减少碎片，为提高芯片的导电性能、降低碎片率、打下了坚实的基础。附图说明图1是本技术提出的一个实施例的结构示意图。具体实施方式以下结合附图对具体实施方式作详细说明图1给出了本技术的一个实施例。图中，一种用于制作芯片的含氧化层的单晶硅片，它包括单晶硅片1，所述单晶硅片为N型材料层、或为P型材料层。本实施例中采用N型材料层。单晶硅片I两侧分别设有P+层、N+层的掺杂层2，可以是单晶硅片I的上层为P+层、下层为N+层，也可以是相反，单晶硅片I的上层为N+层、下层为P+层。在掺杂层2的外侧包裹有氧化层3，所述氧化层3为二氧化硅层，所述氧化层的厚度为1500 4500埃。氧化层3是在氧气或氧气与氧气混合气体在高温条件下和硅反应产生的二氧化硅层。在高温形成氧化层的过程中，还包括高温至室温的慢退火降温的过程中，一方面高温过程使扩散过程形成的晶格缺陷重新排列恢复原状、减少晶格紊乱造成的后工序热应力，有效地降低了硅片的碎片率；另一方面高温至室温的慢退火降温过程中，氧化层和单晶硅片表面形成杂质捕获中心，吸附扩散过程中的金属等杂离子，降低了漏电流，从而提高器件的良率。另外，由于二氧化硅层结构致密，与硅接触紧密，且具有化学生长好的优点，适合大批量生产。上面结合附图描 述了本技术的实施方式，实施例给出的结构并不构成对本技术的限制，本领域内熟练的技术人员在所附权利要求的范围内做出各种变形或修改均在保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制作芯片的含氧化层的单晶硅片，它包括单晶硅片，其特征在于，单晶硅片两侧分别设有P+层、N+层的掺杂层，掺杂层的外侧包裹有氧化层，所述氧化层为二氧化硅层。

【技术特征摘要】
1.一种用于制作芯片的含氧化层的单晶硅片，它包括单晶硅片，其特征在于，单晶硅片两侧分别设有P+层、N+层的掺杂层，掺杂层的外侧包裹有氧化层，所述氧化层为二氧化硅层。2.根据权利要求1所述的用于制作芯片的含氧化层的单晶硅片，其特征在于，所述单晶娃片为N型材料层。3.根据权利要求1所述的用于制...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯亚宁，袁德成，张意远，俞栋梁，周宾，
申请(专利权)人：上海美高森美半导体有限公司，
类型：实用新型
国别省市：