【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体制造领域,涉及一种使用光刻胶回流和干法刻蚀形成半导体器件台面缓坡的方法。
技术介绍
台面缓坡技术在半导体制造工艺中被广泛应用。这种技术能够实现双端器件阵列在同一高度上的电学接触,这对倒装互联和集成混成工艺十分重要,已经被广泛应用于红外焦平面阵列,空间光调制器阵列等。目前的台面缓坡技术,主要集中在使用光刻胶对台面进行掩膜保护以后,使用化学溶液湿法腐蚀出台面。利用半导体材料晶相的各向异性,能够在台面边缘形成一定角度的坡度。这种方法简单易行,但也有一定的缺点1.湿法腐蚀的均匀性较差,引入的工艺不一致性一定程度影响了成品率。2.腐蚀速率对溶液配比较敏感,工艺重复性差。3.腐蚀终点停止控制较难,容易造成器件的失效。4.引入了侧蚀问题。台面除了被在垂直方向腐蚀以外,横向也会被腐蚀。对某些配比溶液来说,横向/纵向被刻蚀比例远大于1,造成腐蚀过后台面过小,给后续的连接金属和焊球沉积带来困难。与湿法刻蚀相比,干法刻蚀具有明显优势。这种刻蚀方法均匀性好,工艺重复性强,可以结合在位光学监控实现精确的终点探测,不会产生侧蚀问题。因此,寻找一种使用干法刻蚀实现台面缓坡的方法,对现有的半导体器件的制备工艺具有重要意义
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种,可以解决目前通用的使用湿法刻蚀方法带来的侧蚀严重,不易控制的问题,实现对台面缓坡的角度、刻蚀深度的良好控制,从而有效提高半导体器件的性能和成品率。为了解决以上技术问题,本专利技术提供了一种,包括如下步骤(I)对晶圆或芯片进行光刻,将待刻蚀的台面图形转移至光刻胶上;(2)光刻胶回流,在光刻胶边缘形成 ...
【技术保护点】
一种半导体器件制备台面缓坡的方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)对晶圆或芯片进行光刻,将待刻蚀的台面图形转移至光刻胶上;(2)光刻胶回流,在光刻胶边缘形成缓坡;(3)用干法刻蚀,将缓坡形状转移至晶圆或芯片上;(4)去除光刻胶,在晶圆或芯片上形成需要的台面缓坡结构。
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件制备台面缓坡的方法,其特征在于,包括如下步骤 (1)对晶圆或芯片进行光刻,将待刻蚀的台面图形转移至光刻胶上; (2)光刻胶回流,在光刻胶边缘形成缓坡; (3)用干法刻蚀,将缓坡形状转移至晶圆或芯片上; (4)去除光刻胶,在晶圆或芯片上形成需要的台面缓坡结构。2.如权利要求1所述的半导体器件制备台面缓坡的方法,其特征在于,步骤(2)中所述的光刻胶回流,包括热板上烘烤,或者烤箱中烘烤,或者使用等离子体轰击的方法。3.权利要求2述的半导体器件制备台面缓坡的方法,其特征在于,步骤(2)中缓坡的形状和角度由光刻胶的类型、厚度、以及烘烤的...
【专利技术属性】
技术研发人员:塞万·拉方波罗塞,黄寓洋,
申请(专利权)人:无锡沃浦光电传感科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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