【技术实现步骤摘要】
本专利技术系有关一种薄膜层的制造方法,特别是关于一种IB-IIB-IVA形成预合金靶材,利用此预合金靶材,以一次溅镀方式即可镀制出具有完整IB-IIB-IVA-VIA元素组成的薄膜制造方法。
技术介绍
由于目前人类的各项活动对能源的需求是不可或缺且与日俱增的,因此如何提供一种长久且安全使用的能源便能为目前最迫切的议题,在各种替代性的能源当中,以太阳能电池研发最为受到瞩目。截至目前为止,已商品化之薄膜太阳电池有碲化镉(CdTe)、铜铟二硒(CIS)/铜铟镓硒(CIGS)及非晶硅(a-Si)等不同材料,各有其发展之优缺点。其中CIS/CIGS薄膜太阳能电池吸光范围很广,虽其制程窗口非常窄造成量产不易,然而其稳定性及光电转换效率为各类型薄膜太阳电池中最高者,且被认为是短期内最有可能达到硅芯片型太阳电池效能之薄膜太阳电池。近期在追求量产技术发展迅速下,CIGS太阳电池在标准测试条件下,最佳电池之光电转换效率可达19. 9% (美国国家可再生能源实验室;NREL),并且在设备商的积极投入与开发,使传统真空制程技术(例如溅镀与蒸镀)可望加速改善其一直无法有效突破的量产及大面积化问题。因此将有机会带动此类产品产能之迅速成长,即使CIGS及CIS有接近硅芯片型太阳电池之光能转换效率及比硅薄膜太阳电池还要低成本之优势,但(I)高效率太阳电池制程复杂且投资成本只比硅薄膜太阳电池便宜些许;(2)缓冲层材料CdS潜在毒害风险及处理成本;(3)关键原料铟元素的供应短缺等问题;以上这些因素是铜铟二硒/铜铟镓硒等薄膜太阳能电池发展之隐忧。因此发展I-II-IV-VI半导体化合物材料取 ...
【技术保护点】
本专利技术主要目的是提供一种以预合金靶材进行一次溅镀方式,制作半导体化合物薄膜层的制造方法,包含以下步骤;使用含有IB族、IIB族、IVA族等元素所组成之预合金靶材,将此预合金靶材进行溅镀反应并同时或稍后通入含VIA族元素之气体,以形成具有IB?IIB?IVA?VIA元素所组成之半导体化合物薄膜。
【技术特征摘要】
1.本发明主要目的是提供一种以预合金靶材进行一次溅镀方式,制作半导体化合物薄膜层的制造方法,包含以下步骤;使用含有IB族、IIB族、IVA族等元素所组成之预合金靶材,将此预合金靶材进行溅镀反应并同时或稍后通入含VIA族元素之气体,以形成具有IB-IIB-IVA-VIA元素所组成之半导体化合物薄膜。2.本发明目标为半导体化合物I-II-IV-VI太阳电池,既具有与铜铟二硒(CIS)可比拟的光电学特性,又因不包含地球资源匮乏的贵金属铟...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈谊浩,刘幼海,刘吉人,
申请(专利权)人:吉富新能源科技上海有限公司,
类型:发明
国别省市:
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